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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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在TAB和FCB中也存在WB中的部分失效問(wèn)題,同時(shí)也有它們自身的特殊問(wèn)題,如由于芯片凸點(diǎn)的高度-致性差,群焊時(shí)凸點(diǎn)形變不一-致,從面造成各焊點(diǎn)的 鍵合...
2022-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件IC芯片 1.2k 0
車聯(lián)網(wǎng):車聯(lián)網(wǎng)指按照一定的通信協(xié)議和數(shù)據(jù)交互標(biāo)準(zhǔn),在“人車-路-云“之間進(jìn)行信息交換的網(wǎng)絡(luò)。智能汽車可理解為“自動(dòng)駕駛“+“車聯(lián)網(wǎng)”智能電動(dòng)汽車:智能駕...
2022-12-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體器件自動(dòng)駕駛 700 0
金絲球焊技術(shù)的基本原理和判別焊接質(zhì)量的方法介紹
金絲球焊是目前半導(dǎo)體器件芯片封裝焊接工藝中最具代表性的焊接技術(shù),焊接過(guò)程通過(guò)熱、超聲、壓力的共同作用形成,工藝參數(shù)調(diào)試得當(dāng)與否直接影響到封裝器件的質(zhì)量和可靠性。
2022-11-23 標(biāo)簽:換能器半導(dǎo)體器件 8.8k 0
淺談半導(dǎo)體器件熱設(shè)計(jì)與熱分析技術(shù)
熱量從何而來(lái)? 工作過(guò)程中,功率元件耗散的熱量,即由電能轉(zhuǎn)換成為熱能; 周圍的工作環(huán)境,通過(guò)導(dǎo)熱、對(duì)流和輻射的形式,將熱量傳遞給電子元器件;
2022-11-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件熱設(shè)計(jì) 1k 0
計(jì)算光刻 (Computational Lithography)技術(shù)是指利用計(jì)算機(jī)輔助技術(shù)來(lái)增強(qiáng)光刻工藝中圖形轉(zhuǎn)移保真度的一種方法,它是分辦率增強(qiáng)技術(shù)(...
2022-10-26 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體器件光刻技術(shù) 3.8k 0
電子元器件的主要失效模式包括但不限于開路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。
2022-10-24 標(biāo)簽:電阻電子元器件半導(dǎo)體器件 3.9k 0
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...
2022-10-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件碳化硅 10k 0
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-09-16 標(biāo)簽:服務(wù)器函數(shù)半導(dǎo)體器件 2.6k 0
如何計(jì)算硅的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-09-14 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件電子結(jié)構(gòu) 4k 0
NAMD計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果差別的主要原因是什么
半導(dǎo)體器件在光照和電偏壓等外界條件作用下會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子。非平衡載流子的壽命對(duì)半導(dǎo)體器件性能有關(guān)鍵性影響,例如,光伏和發(fā)光器件的效率、電子器件的開關(guān)速...
2022-09-13 標(biāo)簽:集成電路仿真設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件 2.2k 0
Nanodcal如何生成graphene原胞電聲耦合項(xiàng)數(shù)據(jù)文件
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-09-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)軟件半導(dǎo)體器件 1.4k 0
Nanodcal半導(dǎo)體器件:計(jì)算n型摻雜NiSi2-Si器件的輸運(yùn)特性
Nanodcal軟件通過(guò)虛晶近似(Virtual Crystal Approximation,VCA)的方法實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的n型或者p型摻雜。為了確保Si在...
2022-09-07 標(biāo)簽:模擬器件半導(dǎo)體器件 4k 0
Nanodcal半導(dǎo)體器件—硅 p-n結(jié)的模型結(jié)構(gòu)
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-09-01 標(biāo)簽:軟件模擬器半導(dǎo)體器件 1.5k 0
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-08-26 標(biāo)簽:計(jì)算軟件半導(dǎo)體器件Device Studio 2.6k 0
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,計(jì)劃顯著降低功率損耗并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時(shí)減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而...
2022-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件sic器件電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路 2.4k 0
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀,以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如,2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功...
2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFET電纜半導(dǎo)體器件 475 0
器件溫度變化的物理原因可以由緊湊模型準(zhǔn)確描述,也使用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)驗(yàn)證模型擴(kuò)展。文章也討論了這些模型可以用于仿真和預(yù)估低溫下的電路性能。這是第一次展示從室溫...
2022-07-25 標(biāo)簽:電子電路半導(dǎo)體器件量子計(jì)算 2.2k 0
3D晶圓級(jí)封裝,包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標(biāo)準(zhǔn)器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù),它起...
2022-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件2.5D封裝 2.6k 1
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