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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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用于功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體功率元器件,由于對(duì)所有設(shè)備的節(jié)能化貢獻(xiàn)巨大,其未來(lái)的技術(shù)發(fā)展動(dòng)向受到業(yè)界廣泛關(guān)注。
英飛凌購(gòu)IR:氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場(chǎng)
根據(jù)Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面,他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸...
2015-09-14 標(biāo)簽:功率器件 1.4k 0
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂,推出常閉型600V GaN功率器件
2015年3月20日,德國(guó)慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)和松下電器公司(TSE代碼:67...
高效率低能耗,SiC/GaN元件掀功率半導(dǎo)體革命熱潮
隨著全球節(jié)能環(huán)保意識(shí)抬頭,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開發(fā),加上電動(dòng)車、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...
IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品,是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。
2014-08-05 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)電機(jī)控制IGBT 2.4k 0
2014年10月28日-30日,第84屆中國(guó)電子展,在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉辦。作為中國(guó)電子展的王牌專業(yè)“電阻電容”有近400家展商攜新品驚艷亮相。中...
東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布,將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。
東芝技術(shù)總監(jiān)談如何滿足開關(guān)電源發(fā)展新要求
隨著智能手機(jī)的普及,4G網(wǎng)絡(luò)以及云計(jì)算等的不斷擴(kuò)大,基站、網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等基礎(chǔ)設(shè)施相關(guān)市場(chǎng)也隨之?dāng)U大。在電子產(chǎn)品輕薄短小的需求驅(qū)動(dòng)下,開關(guān)電源以小型、...
2014-04-01 標(biāo)簽:東芝開關(guān)電源功率器件 2.7k 0
NI張?zhí)焐篜XI SMU加速高功率元件測(cè)量
PXI模組化電源測(cè)量單元(SMU)儀器問(wèn)世。高亮度發(fā)光二極體(LED)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等需要...
國(guó)產(chǎn)IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段
在中國(guó),為了適應(yīng)大環(huán)境的需求,扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展,國(guó)家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺(tái)了一系列支持性的政策措施,在政府和市場(chǎng)的雙重推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體行業(yè)正...
美國(guó)透明度市場(chǎng)研究公司近日發(fā)布研究報(bào)告稱,2012年氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)產(chǎn)值為3.7982億美元,并將在2019年達(dá)到22.0373億美元。其中,軍事國(guó)...
縮減LED/功率元件測(cè)試成本 PXI模組化SMU亮相
PXI模組化電源測(cè)量單元(SMU)儀器問(wèn)世。高亮度發(fā)光二極體(LED)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體 (MOSFET)等需...
業(yè)界對(duì)GaN功率元件的期待已達(dá)到最高峰。實(shí)際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分,采用還為時(shí)尚早。英飛凌科技負(fù)責(zé)汽車用高壓功率半導(dǎo)體...
飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示,由于增加了便攜式設(shè)備的使用,在目前的電力系統(tǒng)中,對(duì)于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)(3G / LTE...
2013-10-31 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源管理 2.1k 0
美高森美新型較大功率和較高電壓MOSFET器件 瞄準(zhǔn)RF和寬帶通信應(yīng)用
致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司宣布擴(kuò)展高頻率垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列,...
解讀:為什么國(guó)外IC業(yè)者“霸占”中國(guó)市場(chǎng)?
為什么中國(guó)IC業(yè)約約75%的市場(chǎng)被國(guó)外IC供應(yīng)商占據(jù),特別是在一些高端芯片商基本依賴進(jìn)口?為什么國(guó)內(nèi)外IC設(shè)計(jì)廠商差距如此之大?為什么中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)苦...
富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品
今天,富士通半導(dǎo)體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150V。用戶可設(shè)計(jì)出體積更小、效率更高電源組件,可廣...
PV逆變器應(yīng)用升溫,推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展
碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽(yáng)能(PV)逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體,提供更高的電源轉(zhuǎn)換效...
Vishay在2013中國(guó)電子展成都站將展出其最新的業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心舉行的20...
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