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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1920個(gè) 瀏覽：94365次 帖子：51個(gè)

      功率器件技術(shù)

      如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

      如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

      本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過程中，它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...

      2022-07-26 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 9.2k 0

      淺談IGBT模塊使用溫度范圍

      淺談IGBT模塊使用溫度范圍

      IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下，而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)（如-40℃~+65℃）。溫度和散熱對(duì)于系統(tǒng)...

      2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT功率器件 9.2k 0

      NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

      介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片，用于降低封裝的熱...

      2020-03-31 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 9.2k 1

      LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

      LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

      LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件，主要應(yīng)用于高壓場(chǎng)合。而針對(duì)高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域，可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。

      2023-12-06 標(biāo)簽：ESD功率器件LDMOS 8.9k 0

      什么是IEGT呢？這得從上個(gè)世紀(jì)末說起

      屈興國告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，東芝IEGT單管目前可以實(shí)現(xiàn)4.5KV和3KA的功率，再加上簡易的串聯(lián)實(shí)施，這些產(chǎn)品完美匹配中國柔性直流輸電、直流電網(wǎng)發(fā)展...

      2018-07-11 標(biāo)簽：東芝IGBT功率器件 8.8k 0

      mosfet的三種工作狀態(tài)及工作條件是什么

      MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是電子工...

      2024-10-06 標(biāo)簽：MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8.8k 0

      功率器件的種類和應(yīng)用領(lǐng)域

      功率器件，也稱為功率電子器件，是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分，它們具備處理高電壓和高電流的能力，是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對(duì)功率器件的詳細(xì)介紹，...

      2024-07-16 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率器件 8.6k 0

      功率半導(dǎo)體器件：IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

      功率半導(dǎo)體器件：IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

      IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的...

      2023-10-27 標(biāo)簽：IGBT功率器件功率模塊 8.5k 0

      功率器件和分立器件的區(qū)別

      功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用...

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 8.5k 0

      功率mos管燒毀原因分析及導(dǎo)致失效原因

      mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平，并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

      2022-12-29 標(biāo)簽：二極管MOS管功率器件 8.5k 0

      LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖

      LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖

      線性電源功率器件工作在線性狀態(tài)，如我們常用的穩(wěn)壓芯片LM7805、LM317、SPX1117等。下圖1是LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖。

      2023-12-08 標(biāo)簽：pcb開關(guān)電源電源電路 8.5k 0

      SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

      碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械，化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

      2021-03-18 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 8.5k 0

      超結(jié)理論應(yīng)用：平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

      超結(jié)理論應(yīng)用：平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

      功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

      2023-09-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 8.1k 0

      采用TL494芯片實(shí)現(xiàn)電動(dòng)跑步機(jī)的開關(guān)電源設(shè)計(jì)

      采用TL494芯片實(shí)現(xiàn)電動(dòng)跑步機(jī)的開關(guān)電源設(shè)計(jì)

      中國經(jīng)濟(jì)與世界的不斷接軌，使中國臺(tái)灣這個(gè)原先在電動(dòng)跑步機(jī)行業(yè)一直處于壟斷的地位，慢慢地被國內(nèi)大陸的電跑廠家所削弱。據(jù)2006年、2007年成都體育產(chǎn)品博...

      2019-06-24 標(biāo)簽：芯片電機(jī)功率器件 8.1k 0

      關(guān)于八吋晶圓的性能分析和應(yīng)用介紹

      關(guān)于八吋晶圓的性能分析和應(yīng)用介紹

      特種工藝技術(shù)包括高精度模擬CMOS、射頻CMOS、嵌入式存儲(chǔ)器CMOS、CIS、高壓CMOS、 BiCMOS和BCDMOS。這些特種技術(shù)對(duì)晶圓代工廠的工...

      2019-08-30 標(biāo)簽：晶圓功率器件 8.1k 0

      如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)

      正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中，它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體...

      2013-01-11 標(biāo)簽：IGBT功率器件 8k 2

      特高壓技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)

      新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。

      2022-10-12 標(biāo)簽：元器件太陽能光伏功率器件 8k 0

      變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

      　　變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其...

      2016-06-02 標(biāo)簽：變頻器逆變器功率器件 7.9k 0

      技術(shù)突破：中國電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

      技術(shù)突破：中國電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

      由圖可以看出，β-Ga2O3的主要優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度，但也存在著不足，主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低，特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過，相對(duì)來說，這些缺點(diǎn)對(duì)功...

      2019-03-01 標(biāo)簽：晶圓功率器件氧化鎵 7.9k 0

      AMB活性金屬焊接陶瓷基板的性能及應(yīng)用

      AMB活性金屬焊接陶瓷基板的性能及應(yīng)用

      第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動(dòng)了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對(duì)封裝基板...

      2023-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 7.9k 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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