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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1921個(gè) 瀏覽：94367次 帖子：51個(gè)

      功率器件技術(shù)

      碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

      碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

      在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

      2024-04-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 1.2k 0

      插件封裝技術(shù)VS頂部散熱封裝技術(shù)

      插件封裝技術(shù)VS頂部散熱封裝技術(shù)

      貼片化是從帶獨(dú)立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝的散熱主要是靠芯片底部跟PCB（印刷電路板）之間的接觸，利用PCB銅箔把芯片產(chǎn)生的...

      2023-05-06 標(biāo)簽：pcb封裝技術(shù)功率器件 1.2k 0

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      近年來(lái)，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問(wèn)題依然存在。

      2023-06-15 標(biāo)簽：功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1.2k 0

      注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

      注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

      為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)（Injection Enha...

      2025-05-21 標(biāo)簽：工藝IGBT功率器件 1.2k 0

      螺釘布置對(duì)底部散熱型表貼式功率器件熱表現(xiàn)的影響

      螺釘布置對(duì)底部散熱型表貼式功率器件熱表現(xiàn)的影響

      觀眾朋友們大家好~今天起，我們?nèi)碌臋谀俊抡?01大講堂正式上線！仿真作為我們半導(dǎo)體器件研發(fā)的重要工具之一，通過(guò)建模、驗(yàn)證、優(yōu)化等流程，讓我們?cè)谘邪l(fā)...

      2023-08-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體元器件PCB板 1.1k 0

      一文解析氮化嫁技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈

      一文解析氮化嫁技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈

      氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...

      2023-11-14 標(biāo)簽：新能源汽車射頻功率器件 1.1k 0

      基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究

      基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究

      近日，在西安·曲江國(guó)際會(huì)議中心舉辦的2024中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)（CPEEC & CPSSC 20...

      2024-11-18 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 1.1k 0

      淺談IGBT產(chǎn)業(yè)鏈中的幾個(gè)玩家

      低壓的光伏經(jīng)過(guò)前年的低谷期，最近兩三年都是處于上升的階段，包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快，海外市場(chǎng)會(huì)多一些，包括這幾年崛起的終端客戶，比如德業(yè)和錦浪。

      2022-09-20 標(biāo)簽：IGBT功率器件 1.1k 0

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

      /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...

      2025-01-06 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 1.1k 0

      GaN/金剛石功率器件界面的熱管理

      GaN/金剛石功率器件界面的熱管理

      ? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特?fù)舸╇妷旱难菔鹃L(zhǎng)期以來(lái)一直激勵(lì)著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...

      2024-06-04 標(biāo)簽：電子器件功率器件GaN 1.1k 0

      碳化硅功率器件特性及基本原理

      碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。

      2024-03-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 1.1k 0

      被GaN扼殺的硅、分立功率器件

      被GaN扼殺的硅、分立功率器件

      四十年來(lái)，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長(zhǎng)的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...

      2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET功率器件GaN 1.1k 0

      碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢(shì)

      隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.1k 0

      SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

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      汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

      2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 1.1k 0

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      PMIC 是小型電池供電設(shè)備的最佳選擇，因?yàn)樗鼈兛梢栽趩涡酒刑峁┩暾碾娫唇鉀Q方案，并包括電壓轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器、電池電量指示器、電池充電器和 LED 驅(qū)...

      2022-07-26 標(biāo)簽：電源電源管理功率器件 1.1k 0

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      高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成...

      2023-07-10 標(biāo)簽：MOSFET封裝功率器件 1.1k 0

      功率器件選購(gòu)須知要素

      功率器件的選擇要根據(jù)應(yīng)用環(huán)境、工作條件和性能要求等因素進(jìn)行綜合考慮。首先，要考慮功率器件的工作溫度范圍，以確定功率器件的耐溫性能。其次，要考慮功率器件的...

      2023-02-16 標(biāo)簽：封裝功率器件散熱性能 1.1k 0

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

      /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...

      2024-11-19 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 1.1k 0

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      隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。

      2024-03-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 1.1k 0

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