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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1920個 瀏覽：94365次 帖子：51個

      功率器件技術(shù)

      高速風(fēng)筒一站式解決方案

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      電吹風(fēng)是居家生活必備物品。傳統(tǒng)的吹風(fēng)機轉(zhuǎn)速通常在2萬轉(zhuǎn)左右，干發(fā)速度較慢（中長發(fā)常常超過10分鐘以上）；利用高溫干發(fā)，還容易損傷頭發(fā)；噪聲比較大的同時重...

      2023-09-19 標(biāo)簽：PWM電機emc 4.6k 0

      第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

      第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

      碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。

      2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2.6k 0

      關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些？

      關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些？

      大電流的快速切換會導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個或多個電源軌，則可能會對控制電路產(chǎn)生干擾。

      2023-09-19 標(biāo)簽：二極管MOS管導(dǎo)通電阻 1.5k 0

      超結(jié)理論應(yīng)用：平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

      超結(jié)理論應(yīng)用：平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

      功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

      2023-09-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻驅(qū)動電路功率器件 8.1k 0

      功率器件的分類及對比分析

      功率器件的分類及對比分析

      作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域，并且將進一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。

      2023-09-15 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET逆變器 1.8k 0

      怎么解決功率器件塑封過程中引腳壓傷的問題？

      怎么解決功率器件塑封過程中引腳壓傷的問題？

      引線框架的引腳壓傷是嚴(yán)重的質(zhì)量問題。引腳壓傷不僅會影響產(chǎn)品的外觀質(zhì)量，嚴(yán)重時會 導(dǎo)致產(chǎn)品的電性能異常，甚至導(dǎo)致終端使用時發(fā)生短路、尖端放電等問題。

      2023-09-14 標(biāo)簽：功率器件 3.4k 0

      DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來電子材料領(lǐng)域的新寵

      DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來電子材料領(lǐng)域的新寵

      隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。

      2023-09-14 標(biāo)簽：功率器件SAMDBA 2.5k 0

      貼片元件溫度（散熱）的影響

      貼片元件溫度（散熱）的影響

      對應(yīng)于同樣的貼片測試任務(wù)，貼片機的冷態(tài)Cpk值較貼片機的熱態(tài)Cpk值要好。通常設(shè)備制造商都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠前測試，熱態(tài)Cpk值是通過將貼片機連續(xù)高速空運行...

      2023-09-13 標(biāo)簽：功率器件貼片機cpk 1.2k 0

      數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動芯片簡述

      數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動芯片簡述

      數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動保護和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動芯片，擁有強勁的驅(qū)動能力、完善的保護功能、超高的...

      2023-09-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 3.8k 1

      氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點

      氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...

      2023-09-11 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵 958 0

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      隨著新能源汽車市場的爆發(fā)，電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。

      2023-09-11 標(biāo)簽：逆變器功率器件SiC 767 0

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      根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù)，從2020年IGBT市場的價值就達(dá)到60.47億美元，預(yù)計到2026年將增長至110.1億美元。報告指...

      2023-09-07 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 703 0

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      功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIP...

      2023-09-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 4.6k 0

      PCB布局設(shè)計關(guān)鍵要點

      已確定優(yōu)選工藝路線，所有器件已放置板面。

      2023-09-05 標(biāo)簽：pcbBGA功率器件 1.1k 0

      pcb電路板散熱技巧有哪些

      對溫度比較敏感的器件最好安置在溫度最低的區(qū)域(如設(shè)備的底部)，千萬不要將它放在發(fā)熱器件的正上方，多個器件最好是在水平面上交錯布局。

      2023-09-04 標(biāo)簽：集成電路pcb電路板 461 0

      電動汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)的組成和作用

      電動汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)的組成和作用

      電動汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)是新能源汽車的核心技術(shù)之一，它的主要任務(wù)是按駕駛員的駕駛意圖，將動力電池的化學(xué)能高效地轉(zhuǎn)化為機械能，經(jīng)過變速器、驅(qū)動軸等機構(gòu)驅(qū)動車輪...

      2023-09-04 標(biāo)簽：電動汽車電機控制變速器 3.9k 0

      PCB需要解決什么問題 芯片需要解決什么問題

      PCB需要解決什么問題 芯片需要解決什么問題

      PCB作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~，是電子產(chǎn)品最關(guān)鍵的部分，其質(zhì)量的好壞直接決定了整機設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。

      2023-08-31 標(biāo)簽：電子產(chǎn)品pcb元器件 942 0

      不同類型的碳化硅功率器件

      目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...

      2023-08-31 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 908 0

      功率MOSFET選型指南

      功率MOSFET選型指南

      俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”，對于電子設(shè)計工程師，在項目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。

      2023-08-25 標(biāo)簽：MOSFET封裝MOS 1.3k 0

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      量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

      半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片...

      2023-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓功率器件 1.6k 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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      時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
      視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
      模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
      線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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