節(jié)能省電，下一代功率半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)

當(dāng)前，材料的發(fā)展引領(lǐng)了產(chǎn)品性能的提升，碳化硅和氮化鎵的發(fā)展也就推動(dòng)了在變頻器和轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上用到的功率半導(dǎo)體的發(fā)展，下面我們就下一代的功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析。

2012-12-03 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器變頻器功率半導(dǎo)體 2.5k 0

專(zhuān)家談功率半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

這是來(lái)自電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院副院長(zhǎng) 張波的一篇文章，張教授就功率半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)的趨勢(shì)進(jìn)行了詳細(xì)的解說(shuō)，希望各位對(duì)這個(gè)重要的元器件有全...

2012-12-02 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 1

功率半導(dǎo)體為節(jié)能減排打開(kāi)大門(mén)

在進(jìn)入了“后石油時(shí)代”之后，電能無(wú)疑成為人類(lèi)消耗的最大能源。從日常的手機(jī)、電視、洗衣機(jī)到高速列車(chē)都依靠電能驅(qū)動(dòng)。每個(gè)電子產(chǎn)品都需要功率半導(dǎo)體技術(shù)。功率半...

2012-11-20 標(biāo)簽：節(jié)能減排功率半導(dǎo)體 1.5k 0

飛兆半導(dǎo)體：走向高效能和低功耗

飛兆半導(dǎo)體近日舉行了2012年度的北京媒體交流培訓(xùn)活動(dòng)，會(huì)上，飛兆半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)銷(xiāo)售總監(jiān)王劍，技術(shù)經(jīng)理陳立烽，高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理曹巍向媒體朋友介紹了飛兆半導(dǎo)體在...

2012-08-26 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體LED智能手機(jī) 1.1k 0

三菱電機(jī)提供SiC功率半導(dǎo)體模塊樣

三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開(kāi)始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿(mǎn)足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半...

2012-07-25 標(biāo)簽：三菱電機(jī)SiC功率半導(dǎo)體 904 0

2011年功率半導(dǎo)體市場(chǎng) 英飛凌連續(xù)九年第一

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IMS最新報(bào)告，2011年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)9%至約180億美元。而英飛凌則已連續(xù)第九年高居榜首。

2012-07-09 標(biāo)簽：英飛凌功率半導(dǎo)體 733 0

2011年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)供應(yīng)商10強(qiáng)

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IMS的最新報(bào)告，2011年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)9%，約180億美元。而英飛凌則已連續(xù)第九年高居榜首。

2012-07-06 標(biāo)簽：英飛凌電源模塊功率半導(dǎo)體 1k 0

功率半導(dǎo)體材料GaN和SiC使用新趨勢(shì)

“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），...

2012-07-02 標(biāo)簽：逆變器功率半導(dǎo)體電力轉(zhuǎn)換器 1.8k 0

英飛凌推出車(chē)用全新650V CoolMOS CFDA整合高速本體二極體

英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車(chē)用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFE...

2012-04-05 標(biāo)簽：英飛凌功率半導(dǎo)體CoolMOS 1.8k 0

愛(ài)發(fā)科開(kāi)發(fā)出制造功率半導(dǎo)體的新技術(shù)

日本愛(ài)發(fā)科面向硅基板上制作的功率半導(dǎo)體等，開(kāi)發(fā)出了通過(guò)濺射法實(shí)現(xiàn)原來(lái)使用蒸鍍法及印刷法的“焊錫成膜工序”。該方法可將各種器件的電極膜使用的Au膜換成通過(guò)...

2012-03-16 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體愛(ài)發(fā)科 1k 0

IR將功率半導(dǎo)體觸角伸往消費(fèi)市場(chǎng)

有60幾年歷史的美商國(guó)際整流器公司（IR）表示，其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品除了既有的資料儲(chǔ)存等企業(yè)市場(chǎng)，也將把觸角伸往消費(fèi)市場(chǎng)，包括超輕薄筆電（Ultrabook...

2012-02-15 標(biāo)簽：電源IR功率半導(dǎo)體 4.2萬(wàn) 0

英飛凌穩(wěn)居分立功率半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)榜首

英飛凌科技連續(xù)八年位居全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)榜首,英飛凌在分立式功率半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)上擁有8.6%的市場(chǎng)份額，第一次肯定在該市場(chǎng)上具有明確的榜首地位

2011-11-03 標(biāo)簽：英飛凌分立器件功率半導(dǎo)體 877 0

芯片制造應(yīng)關(guān)注功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的傳輸轉(zhuǎn)換及最佳控制，大幅度提高工業(yè)生產(chǎn)效率，大幅度節(jié)約電能、降低原材料消耗。

2011-10-26 標(biāo)簽：集成電路芯片制造功率半導(dǎo)體 1.5k 0

東芝強(qiáng)推功率半導(dǎo)體 登頂世界第一寶座

作為進(jìn)行功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的東芝公司在近期發(fā)布會(huì)上表示，奪取市場(chǎng)份額首位寶座的決心。

2011-08-15 標(biāo)簽：東芝功率半導(dǎo)體 1.1k 0