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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢

在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。

2024-10-15 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源 MOS管 2.2k 0

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。

2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2.2k 0

半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝（LTJT）的優(yōu)勢探討

隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。其中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以其顯著優(yōu)點(diǎn)在功率半導(dǎo)體器件中...

2024-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 晶體管 2.2k 0

SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高，將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局

Yole Development 的市場調(diào)查報告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用的需求一直推動著結(jié)溫升高，目前已達(dá)到150℃。

2020-11-16 標(biāo)簽：電動汽車電力系統(tǒng)CISSOID 2.2k 0

功率半導(dǎo)體的制造流程功率分立器件的分類

由三個端子組成的器件，可通過控制三端的電流或電壓實(shí)現(xiàn)器件的導(dǎo)通或關(guān)斷，包括雙極型（BJT）、場效應(yīng)型如MOSFET 及絕緣柵型如IGBT 等器件。

2023-05-10 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 2.2k 0

驅(qū)動電路設(shè)計(jì)（八）——米勒鉗位雜談

驅(qū)動電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...

2025-03-31 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)鉗位驅(qū)動電路 2.2k 0

直流電子負(fù)載的三種工作模式

摘要：負(fù)載檢測是電源、通信、蓄電池、能源等領(lǐng)域的重要環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的測試電源負(fù)載常將電阻、電感、電容等進(jìn)行串并聯(lián)組合來模擬實(shí)際負(fù)載情況，這種方法的缺點(diǎn)是負(fù)...

2023-07-26 標(biāo)簽：放大器蓄電池功率半導(dǎo)體 2.1k 0

車規(guī)級IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)

散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價值占比較高的重要部件，車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅...

2023-07-06 標(biāo)簽：IGBT 功率模塊功率半導(dǎo)體 2.1k 0

IGBT功率模塊的發(fā)展趨勢

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種...

2023-02-22 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體電路控制 2.1k 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標(biāo)簽：充電器晶圓氮化鎵 2.1k 0

一鏡到底看懂功率半導(dǎo)體

MOSFET，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單和輻射強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型Pl...

2023-08-28 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體功率電子 2.1k 0

RIGOL功率半導(dǎo)體動態(tài)性能測試解決方案

功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成...

2025-07-29 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 2.1k 0

一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊

前言功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關(guān)“被廣...

2025-09-10 標(biāo)簽：IGBT 電控系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 2.1k 0

國產(chǎn)功率半導(dǎo)體芯片亟待突破

功率半導(dǎo)體在產(chǎn)品節(jié)能中發(fā)揮著巨大的作用。在可預(yù)見的將來，無論是水電、核電、火電還是風(fēng)電，甚至各種電池提供的化學(xué)電能，將是人類消耗的最重要能源。但是75%...

2012-07-23 標(biāo)簽：Sic 功率半導(dǎo)體 IGBT技術(shù) 2.1k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

2024-10-22 標(biāo)簽：熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 2.1k 0

新封裝材料功率器件降低電子產(chǎn)品高能耗

要想實(shí)現(xiàn)家用電器等電子電器產(chǎn)品的節(jié)能降耗，功率半導(dǎo)體是不可或缺的元器件產(chǎn)品，如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...

2012-07-23 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 sic器件 SKiN技術(shù) 2k 0

變頻器風(fēng)扇不轉(zhuǎn)會不會影響變頻器？

嚴(yán)重影響變頻器的正常運(yùn)行。逆變器的核心器件都是IGBT功率半導(dǎo)體開關(guān)元件。

2024-01-11 標(biāo)簽：變頻器 IGBT 功率半導(dǎo)體 2k 0

功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參...

2024-01-03 標(biāo)簽：SiC 功率模塊鍵合 2k 0

常見的幾種功率半導(dǎo)體器件

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

2023-12-14 標(biāo)簽：二極管晶閘管功率器件 2k 0

IGBT是什么驅(qū)動型器件

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體...

2024-01-22 標(biāo)簽：IGBT 場效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 2k 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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