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標(biāo)簽 > 二極管
二極管,(英語(yǔ):Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。
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選型手冊(cè):MBR10200F 肖特基勢(shì)壘整流二極管
仁懋電子(MOT)推出的MBR10200F是一款10A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管,憑借200V耐壓、低正向壓降及高浪涌電流特性,適用于開關(guān)電源、逆變器、...
射頻環(huán)形器的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景
射頻環(huán)形器是一種非互易的多端口無(wú)源器件,在現(xiàn)代無(wú)線通信、雷達(dá)及測(cè)試系統(tǒng)中扮演著不可或缺的角色。其核心功能在于能夠控制射頻信號(hào)的傳播方向,使信號(hào)僅在端口間...
選型手冊(cè):MOT20200D 系列肖特基勢(shì)壘整流二極管
仁懋電子(MOT)推出的MOT20200D是一款面向高壓大電流整流場(chǎng)景的肖特基勢(shì)壘二極管,憑借20A連續(xù)電流承載能力、200V反向耐壓及低正向壓降特性,...
選型手冊(cè):MOT30100D 系列肖特基勢(shì)壘整流二極管
仁懋電子(MOT)推出的MOT30100D是一款面向大電流整流場(chǎng)景的肖特基勢(shì)壘二極管,憑借30A連續(xù)電流承載能力、100V反向耐壓及低正向壓降特性,廣泛...
選型手冊(cè):MBR20150A 系列肖特基勢(shì)壘整流二極管
仁懋電子(MOT)推出的MBR20150A是一款面向大電流整流場(chǎng)景的肖特基勢(shì)壘二極管,憑借20A連續(xù)電流承載能力、150V反向耐壓及低正向壓降特性,廣泛...
STGSH80HB65DAG汽車級(jí)IGBT技術(shù)深度解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT具有兩個(gè)IGBT和二極管,采用緊湊、堅(jiān)固的表面貼裝...
?DRV8804四通道低邊驅(qū)動(dòng)IC技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8804提供具有過(guò)流保護(hù)功能的4通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有內(nèi)置二極管,用于箝位感性負(fù)載產(chǎn)生的關(guān)斷瞬變,可用于驅(qū)動(dòng)單極步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、繼電器、...
2025-10-20 標(biāo)簽:繼電器二極管步進(jìn)電機(jī) 299 0
?DRV8805單極性步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8805為驅(qū)動(dòng)單極步進(jìn)電機(jī)提供了集成解決方案。它 包括四個(gè)具有過(guò)流保護(hù)的低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,并提供內(nèi)置二極管進(jìn)行箝位 電機(jī)繞組產(chǎn)生的關(guān)斷瞬變。 使...
2025-10-20 標(biāo)簽:二極管步進(jìn)電機(jī)SOIC 273 0
?DRV8803四通道低邊驅(qū)動(dòng)器IC技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8803提供具有過(guò)流保護(hù)功能的4通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有內(nèi)置二極管,用于箝位感性負(fù)載產(chǎn)生的關(guān)斷瞬變,可用于驅(qū)動(dòng)單極步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、繼電器、...
?DRV8806 四通道低邊驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8806提供具有過(guò)流保護(hù)功能的 4 通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器。它有 內(nèi)置二極管,用于箝位感性負(fù)載產(chǎn)生的關(guān)斷瞬變,可用于驅(qū)動(dòng) 單極步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、繼電器...
2025-10-20 標(biāo)簽:二極管電磁閥步進(jìn)電機(jī) 272 0
DRV8860 38-V 8通道串行接口低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8860提供具有過(guò)流保護(hù)的 8 通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器和 開路/短路負(fù)載檢測(cè)。它具有內(nèi)置二極管,可鉗位由 感性負(fù)載,可用于驅(qū)動(dòng)單極步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、繼...
2025-10-17 標(biāo)簽:二極管過(guò)流保護(hù)步進(jìn)電機(jī) 425 0
STGSH50M120D IGBT模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(帶二極管)在半橋拓?fù)渲屑闪?個(gè)IGBT和二極管。 ...
?DRV8300U 三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外...
2025-10-13 標(biāo)簽:二極管MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 300 0
?DRV8351-SEP 汽車級(jí)三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 MOS...
通道ESD器件可采用單通道和多通道配置。根據(jù)應(yīng)用的不同,多通道器件可實(shí)現(xiàn)更小的解決方案尺寸并節(jié)省布板空間,因?yàn)樗鼘⒍鄠€(gè)單通道器件整合在一起。相反,單通道...
將萬(wàn)用表設(shè)置到 R×1KQ 位置。用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),如果一級(jí)和另外兩極的電阻值是無(wú)窮大的,則更換表筆后該極和另外兩極的電阻值仍然是無(wú)窮大,則判斷此極是柵極(G)。
在先進(jìn)的反向?qū)ń^緣柵雙極晶體管(RCIGBT)中,低導(dǎo)通電壓降(Vce(sat))和集成二極管正向電壓(VF)對(duì)于有效減少導(dǎo)通損耗至關(guān)重要。
2025-10-10 標(biāo)簽:二極管意法半導(dǎo)體IGBT 1.9k 0
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