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采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量電荷泵、調(diào)節(jié)器、VDC、電壓檢測器、邏輯塊等模擬塊和大型控制邏輯電路。因此它面臨的最大問題是，如何在一個可接受的時間范圍內(nèi)隨著所有打開的內(nèi)部模擬電路運(yùn)行全芯片級仿真。本文介紹了一種采用Magma Finesim 的NAND閃存仿真戰(zhàn)略，它可通過適當(dāng)分區(qū)和Finesim功能來平衡仿真精度和仿真時間。
NAND閃存是一種高密度非易失性存儲器，基于電壓調(diào)制原理而操作。隨著技術(shù)開發(fā)和工藝改進(jìn)，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架構(gòu)正變得日益復(fù)雜化。今天，單個8Gb密度SLC NAND閃存芯片的MOSFET數(shù)量就超過70萬，這還未包括所有陣列器件在內(nèi)；MLC約是SLC的1.5-2倍。圖1顯示了NAND功能塊基本結(jié)構(gòu)圖，它通常是由I/O、低壓(LV)系統(tǒng)、高壓(LV)系統(tǒng)、控制邏輯和陣列5大部分組成。
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