資料介紹
二極管的結(jié)電容分兩種:勢壘電容和擴散電容。而一般數(shù)據(jù)手冊給到的結(jié)電 容參數(shù),通常指的是勢壘電容

上面這個是 ES1J 超快恢復二極管數(shù)據(jù)手冊的結(jié)電容參數(shù) Cj=8pF。同時我們 知道,對于常用的二極管來說,它有普通整流二極管、快恢復二極管、超快恢復 二極管、肖特基二極管等。那么什么是二極管的反向恢復時間呢?它和結(jié)電容之 間有什么關(guān)系呢?下面列舉常用二極管的反向恢復時間:
普通二極管:反向恢復時間一般 >500ns 以上;
快恢復二極管:反向恢復時間一般在 150ns-500ns 之間;
超快恢復二極管:反向恢復時間一般在 15ns-35ns 之間;
肖特基二極管:反向恢復時間一般<10ns,也有個別在 20ns 這個量級

我們一般都認為,二極管的反向恢復時間和它的結(jié)電容有關(guān)。結(jié)電容越大, 反向恢復時間越長;結(jié)電容越小,反向恢復時間越短。也有人常說的快管和慢管。 我們把這幾種具有代表性的二極管結(jié)電容參數(shù)放在一起進行對比看看是否如上 所述:

根據(jù)上面列的數(shù)據(jù)可以看出來,反向恢復時間并不和數(shù)據(jù)手冊表示的結(jié)電容 參數(shù)有關(guān)。那么,我們研究一下,這里的結(jié)電容和反向恢復時間到底指的是什么 呢?正如一開始所講的,二極管的結(jié)電容分為 2 種:勢壘電容和擴散電容。下面 就從這個角度出發(fā),深入挖掘一下,從本質(zhì)上理解它們的含義
勢壘電容
我們知道,P 區(qū)空穴多,N 區(qū)電子多,因為擴散,會在中間形成內(nèi)建電場區(qū)。 N 區(qū)那邊失去電子帶正電荷,P 區(qū)那邊得到電子帶負電荷

當給 PN 結(jié)加上反向電壓,內(nèi)電場區(qū)的厚度隨著反向電壓的大小而改變。如 果反向電壓增大,那么內(nèi)電場區(qū)厚度也增加,即內(nèi)部電荷增多。反之,如果反向 電壓減小,那么內(nèi)部電荷減少
如果把 PN 結(jié)等效為右邊的勢壘電容這幅圖的話,就相當于電容的充放電。 PN 結(jié)兩端電壓變化,引起積累在中間區(qū)域的電荷數(shù)量的改變,從而呈現(xiàn)電容效 應,這個電容就是勢壘電容。勢壘電容的大小和外加反向電壓有關(guān),所以,不同 反向電壓下,勢壘電容的大小也是不同的

我們還是以 ES1J 數(shù)據(jù)手冊里面的結(jié)電容 Cj 為例,廠家給了測試條件:VR=4V, f=1MHz。這里 VR 指的是反向電壓,R 指的是 Reverse 反向的意思。所以,二極 管數(shù)據(jù)手冊里面的結(jié)電容指的是勢壘電容。那么,也就是勢壘電容的大小和反向 恢復時間沒有直接聯(lián)系
這里再插入講一下,對于勢壘電容和擴散電容,確實不是很容易從直覺上理 解,我們可以根據(jù)下面所講的,從直觀上這么來理解:

如果加反向電壓的話,源的正極相當于把 N 區(qū)的電子吸過來;源的負極相 當于把 P 區(qū)的空穴吸過去。它們各自的運動是背離的。這樣,中間就構(gòu)成了一個 空間電荷區(qū)。為什么說是電荷區(qū)呢?因為當 N 區(qū)的電子被吸走后,它就帶正電 荷;P 區(qū)的空穴被吸走后,它就帶負電荷。所以,左邊的正電荷和右邊的負電荷構(gòu)成了內(nèi)電場。如果外加的反向電壓越高,各自被吸走的電子和空穴也就越多, 那么正負電荷也就越多,內(nèi)電場也就越強。體現(xiàn)在中間的 PN 結(jié),就是反向電壓 越高,厚度更寬。建立了一道厚厚的城墻壁壘,構(gòu)成了勢壘電容。下面來看一下 什么是二極管的擴散電容
擴散電容
什么是擴散電容:當有外加正向偏壓時,在 p-n 結(jié)兩側(cè)的少子擴散區(qū)內(nèi),都有一 定的少數(shù)載流子的積累,而且它們的密度隨電壓而變化,形成一個附加的電容效 應,稱為擴散電容
我們根據(jù)它的定義,用一幅圖來描述一下

如果加正向電壓的話,源的正極吸引對面 N 區(qū)的電子,同時排斥 P 區(qū)的空 穴;源的負極吸引對面 P 區(qū)的空穴,同時排斥 N 區(qū)的電子。也就是異性相吸, 同性相斥的原理。這樣的話,正負極相互促進,一拉一推,電子和空穴就會相互 移動并結(jié)合,產(chǎn)生了擴散運動。但是需要注意的是,在電子和空穴相互移動的時 候,并不全部在 PN 結(jié)這個地方結(jié)合。而是越靠近 PN 結(jié),結(jié)合的越多,還有一 些漏網(wǎng)之魚擴散到更遠的地方結(jié)合,這就是擴散運動了
擴散的空穴和電子在內(nèi)部電場區(qū)相遇,會有部分空穴和電子復合而消失,也 有部分沒有消失。沒有復合的空穴和電子穿過內(nèi)部電場區(qū),空穴進入 N 區(qū),電 子進入 P 區(qū)
進入 N 區(qū)的空穴,并不是立馬和 N 區(qū)的多子-電子復合消失,而是在一定的 距離內(nèi),一部分繼續(xù)擴散,一部分與 N 區(qū)的電子復合消失
顯然,N 區(qū)中靠近內(nèi)部電場區(qū)處的空穴濃度是最高的,距離 N 區(qū)越遠,濃度 越低,因為空穴不斷復合消失。同理,P 區(qū)也是一樣,濃度隨著遠離內(nèi)部電場區(qū) 而逐漸降低??傮w濃度分布如下圖所示

當外部電壓穩(wěn)定不變的時候,最終 P 區(qū)中的電子,N 區(qū)中的空穴濃度也是穩(wěn) 定的。也就是說,P 區(qū)中存儲了數(shù)量一定的電子,N 區(qū)中存儲了數(shù)量一定的空穴。 如果外部電壓不變,存儲的電子和空穴數(shù)量就不會發(fā)生變化,也就是說穩(wěn)定存儲 了一定的電荷。這里的二極管外部電壓指的是二極管正向電壓 VF 穩(wěn)定不變,其 實它和正向電流 IF 成正比關(guān)系,也就是說,當正向電流 IF 穩(wěn)定不變,電子和空 穴的濃度也是穩(wěn)定的。通過下面這幅圖也能看出 VF 和 IF 的關(guān)系

但是,如果電壓發(fā)生變化,比如正向電壓降低,也就是電流減小,單位時間 內(nèi)涌入 N 區(qū)中的空穴也會減小,這樣 N 區(qū)中空穴濃度必然會降低。同理,P 區(qū)中 電子濃度也降低。所以,穩(wěn)定后,存儲的電子和空穴的數(shù)量想比之前會更少,也 就是說存儲的電荷就變少了

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