上面是一個正常情況下，電容兩端電壓的充電波形。但事實上，MOSFET 除 了在 GS 端存在電容之外，它還有 GD 電容，DS 電容。那么，GD 之間的電容， 我們把它稱之為米勒電容，實際上米勒電容有一個米勒效應(yīng)的。 米勒效應(yīng)，實際上是有一個固有的轉(zhuǎn)移特性。在這個轉(zhuǎn)移特性里面有什么關(guān)系 呢？就是：柵極的電壓 Vgs 和漏極的電流 Id 保持一個比例關(guān)系。

其實，對于 MOSFET 來說，有一個起始開通電壓，叫做 Vth

當 MOSFET 達到起始開通電壓 Vth 之后，Id 就開始有電流了，但是這個時候， 電流小，然后 Vgs 電壓繼續(xù)上升，Id 也會繼續(xù)上升，當上升到米勒效應(yīng)的時候， 就會發(fā)生固有轉(zhuǎn)移特性

我們知道了，當 gs 電容的電壓達到 Vth 時，Id 有電流的，就表示有通路，那么 柵極的電壓就有了另一條通路了

也就是上面這幅圖中紫色的這條通路。那么 GS 電容在達到 Vth 之后，會繼 續(xù)上升，當?shù)竭_ t2 時刻時，Id 電流就達到最大了，也可以說電流保持不變是吧。 那么，既然漏極的電流保持不變，根據(jù)固有轉(zhuǎn)移特性，是不是柵極電壓也保持不 變?。ü逃修D(zhuǎn)移特性：柵極電壓 Vgs 和漏極電流 Id 保持一個比例關(guān)系）。

我們把柵極電壓不變的這段區(qū)域叫做米勒平臺區(qū)，而且 MOSFET 處于放大狀 態(tài)。那么會有人有疑問了，既然是達到放大狀態(tài)，為什么電流能達到最大值呢？ 這和內(nèi)阻分析法不是有矛盾嗎？實際上是沒有矛盾的。

我們用三極管來舉例:

假設(shè)上面這個三極管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，放大倍數(shù)β=100，當 be 流過 1mA 電流時，Ic 的電流是 100mA。由于三極管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，那么 C 極的電位是 0.3V 的飽和壓降，那么，根據(jù)上面這個電路圖來看，如果忽略 CE 壓降的話，根 據(jù)歐姆定律：Ic=12V/100R=120mA。但實際上三極管所能達到的最大 Ic 電流是 100mA。那么，我們來看看三極管飽和導(dǎo)通時的功耗問題

飽和導(dǎo)通：

Ib=1mA，Ic=100mA

三極管功耗：

b 極功耗：0.7V*1mA

c 極功耗：0.3V*100mA

很明顯，三極管在飽和導(dǎo)通時，功耗不大。那么，再來看一下三極管放大狀態(tài)時 的功耗

由于三極管的射極電壓跟隨，輸出電壓是 5V，而左邊是 12V（忽略 100R 壓 降），那么 CE 壓差就是 7V 了。此時三極管處于放大導(dǎo)通狀態(tài)，而三極管的 be 電流還是 1mA

放大導(dǎo)通：

Ib=1mA Ic=100mA

三極管功耗：

b 極功耗 0.7V*1mA

c 極功耗 7V*100mA

根據(jù)上面的分析，三極管放大狀態(tài)的功耗是飽和狀態(tài)的 23 倍。三極管在放 大導(dǎo)通狀態(tài)下，C 極電流是具有 100mA 的輸出能力的。但是，一般情況下，我 們都是降額使用，否則會發(fā)熱損壞掉。所以，三極管工作在放大狀態(tài)，就特別要 考慮功耗問題

我們再回到之前的 MOSFET 放大狀態(tài)，對于 MOSFET 來說，它的 Id 電流其實 是受后級負載決定的，不是工程師所能控制的。但是 MOSFET 在開通過程中，必 須要經(jīng)過這個放大區(qū)，只不過這個放大區(qū)功耗特別的大，所以就需要這個放大區(qū) 的時間就要特別的短。MOSFET 在這個區(qū)域特別危險，壞的最多

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