資料介紹
今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級(jí)的失效形式。 根據(jù)失效的部位不同,可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多,如電源或負(fù)載波動(dòng)、 驅(qū)動(dòng)或控制電路故障、散熱裝置故障、線路短路等,但最終的失效都可歸結(jié)為電擊穿和熱擊穿兩種,其中電擊穿失效的本質(zhì)也 是溫度過(guò)高的熱擊穿失效。目前對(duì)IGBT芯片失效的研究主要集中在對(duì)引起失效的各種外部因素,如過(guò)電壓、過(guò)電流、過(guò)溫等 進(jìn)行分析上,而對(duì)失效的內(nèi)部機(jī)理及過(guò)程仍缺乏深入的研究。
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