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本論文完成了一種應(yīng)用于集成于射頻芯片的LDO的分析與設(shè)計(jì)。本文主要從穩(wěn)定性、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、電源抑制比和噪聲四個(gè)方面進(jìn)行了分析。然后，采用SMIC 0.18μm CMOS工藝完成了包括功率調(diào)整管、電阻反饋網(wǎng)絡(luò)和誤差放大器三個(gè)部分的電路設(shè)計(jì)，并用Cadence Spectre對(duì)設(shè)計(jì)的整體電路進(jìn)行了仿真和優(yōu)化，最終實(shí)現(xiàn)電路的設(shè)計(jì)要求，而且可以在片內(nèi)集成。
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