隨著對(duì)無(wú)線寬頻帶的需求不斷提高，蜂窩基站 （BTS） 性能的重要性也愈加突出。天線塔的低噪聲放大器 （LNA）是確定 BTS 性能的關(guān)鍵因素，因?yàn)樗苡绊懟靖采w面積及其對(duì)附近其他發(fā)射器的容限。集成的 LNA 配備了有源偏置調(diào)節(jié)器，例如 Avago Technology 的 MGA-63x系列，能夠?yàn)榻艹龅?BTS 性能提供噪聲系數(shù)和線性。蜂窩基站 （BTS） 設(shè)計(jì)應(yīng)具有廣泛的覆蓋范圍，同時(shí)能夠共用一個(gè)配備多種無(wú)線發(fā)射器的塔站。這些特性使服務(wù)供應(yīng)商用幾個(gè)網(wǎng)點(diǎn)就能向一個(gè)地區(qū)提供服務(wù)，并且可以與其他使用者共同承擔(dān)網(wǎng)點(diǎn)成本。為了滿足覆蓋和分享的要求，BTS 架構(gòu)中需要配備敏感度高的接收器來(lái)接收遠(yuǎn)程手機(jī)信號(hào)，同時(shí)還要排除從附近無(wú)線發(fā)射器發(fā)射的帶內(nèi)和帶外強(qiáng)信號(hào)。接收器的敏感性是多種因素作用的結(jié)果，它決定了無(wú)線接收器能夠還原的最弱的信號(hào)，其中包括接收器信號(hào)帶寬（BW，單位：Hz）和信號(hào)必須支持的信息速率。敏感度可以這樣描述：

　　Gn 表示接收鏈上第 n 級(jí)的增益，表明接收鏈中第一放大階段的噪聲系數(shù) （F1） 對(duì)系統(tǒng)的總噪聲具有支配作用，而隨后階段（例如 F2， F3 等）的噪聲性能的影響則會(huì)越來(lái)越小。因此，第一階段的低噪聲放大器 （LNA） 能夠通過(guò)最小化級(jí)聯(lián)噪聲系數(shù) F 來(lái)提高接收器的敏感性。目前蜂窩基站 （BTS） 通常都將 LNA 放置在天線塔的天線附近。這樣的布置有助于減弱由天線到遠(yuǎn)程 LNA 級(jí)之間的電纜損耗而造成的噪聲系數(shù)衰減。還有另外兩個(gè)影響 BTS 架構(gòu)的因素，一個(gè)是共用天線雙工工作的發(fā)射-接收 （Tx-Rx） 雙工器，一個(gè)是用于防止帶外阻隔或脫敏的干擾濾波器，通常都先于 LNA 級(jí)。但是，雙工器和濾波器都會(huì)有損耗。因損耗先于放大發(fā)生，所以要求損耗值小一些以確保 SNR 盡量高。盡管如此，配備了噪聲性能額外冗余的 extra marginNA 還是會(huì)降低雙工濾波器的損耗要求。 BTS 設(shè)計(jì)中 LNA 還要滿足除低噪聲系數(shù)之外的其他重要性能要求。這些要求可能包括高增益（用于抵消塔頂安裝的 LNA 和地面無(wú)線電廣播室之間的長(zhǎng)電纜的損耗）和高線性。高線性用于防止在處理強(qiáng)信號(hào)時(shí)可能引起通道間干擾的失真。

　　放大器設(shè)計(jì)中的低噪聲技術(shù)

　　雖然高增益和高線性非常重要，但 LNA 的噪聲系數(shù)才是其決定性也是最重要的特征。許多設(shè)計(jì)和加工技術(shù)都會(huì)影響放大器的噪聲系數(shù) （F），但其中一些并不適用于 BTS。例如，F(xiàn)ukui 公式表明了電子放大器 （TPHY） 的物理溫度可以直接影響其噪聲系數(shù)。因此這種關(guān)聯(lián)，通過(guò)目前最有效的降低噪聲的方法，即閉合循環(huán)氮?dú)饫鋮s，可以將TPHY 降低到接近 OK，并且證明了在 900MHz 時(shí) FF ≈ 0.05dB。但是，不斷的維護(hù)和低溫冷卻的高成本（每個(gè)冷卻器約 1 萬(wàn)美元）使這種冷卻方法極不實(shí)用，除非是類似于無(wú)線電望遠(yuǎn)鏡和行星探測(cè)器地面接收站這種對(duì)于性能要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域。其他影響放大器系數(shù)的主要因素比較容易控制。例如，制造晶體管所選用的半導(dǎo)體材料對(duì)放大器噪聲系數(shù)的影響非常大。尖端材料，例如磷化銦 （InP） 具有無(wú)以倫比的降噪性能。但是，對(duì)于日常商業(yè)用途來(lái)說(shuō)，這些材料的成本往往過(guò)于高昂。另一方面，硅 CMOS 雖然成本低廉，但降噪等級(jí)卻一般（表 1）。而砷化鎵材料，尤其是增強(qiáng)型高遷移率晶體管技術(shù) （pHEMT），成本低且降噪性能好。