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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>Analysis of dv_dt Induced Spur

      Analysis of dv_dt Induced Spur

      2009-11-28 | rar | 344 | 次下載 | 5積分

      資料介紹

      Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對(duì)高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個(gè)關(guān)鍵的器件.快速的開關(guān)可以降低開關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級(jí)上dv/dt也變得越來越高.然而,高的dv/dt可能導(dǎo)致在沒有正常的門極觸發(fā)信號(hào)時(shí)MOS開通,這樣會(huì)產(chǎn)生更多的功耗.最常見的可能是由于寄生電容和電感引起的.本文研究了寄生現(xiàn)象對(duì)MOS假開通的影響.
      假觸發(fā)(spurious-trigger)現(xiàn)象發(fā)生在當(dāng)漏極電壓快速上升時(shí).這種情況下MOSFET的等效電路如圖1示.由于通常的解法會(huì)導(dǎo)致四階的差分方程,本文通過忽略相關(guān)不太重要的寄生參數(shù)的影響來簡(jiǎn)化問題.其影響后文再述.基于20V-30V 層次的MOS來考慮寄生參數(shù). 此處,Lg>>Ls; Cgs>>Ggd, Cgs>>Cds. 由于從節(jié)點(diǎn)G到地的阻抗比從節(jié)點(diǎn)S到地的阻抗要大得多,圖1可以簡(jiǎn)化成如圖2的電路.此處MOS被移走,既然其在誤觸發(fā)之前仍舊處在關(guān)斷狀態(tài).
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