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8Gb DDR4 SDRAM B裸片組織為128Mbit x 4 I/O x16banks或64Mbit x8 I/O x 16banks設(shè)備。此同步設(shè)備實現(xiàn)高達2666Mb/sec的高速雙數(shù)據(jù)傳輸速率/引腳（DDR4-2666）。芯片的設(shè)計符合以下關(guān)鍵DDR4 SDRAM功能，如張貼的CAS、可編程CWL、內(nèi)部（自）校準(zhǔn)、，使用ODT引腳和異步復(fù)位的管芯端接。所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入被鎖存在差分時鐘的交叉點（CK上升和CK下降）。所有I/O都與一對雙向選通（DQS和DQS）。地址總線用于傳送行、列和存儲體地址RAS/CAS多路復(fù)用樣式中的信息。DDR4設(shè)備運行具有單個1.2V（1.14V～1.26V）電源和1.2V（1.14V～1.26V）電源。8Gb DDR4 B裸片器件有78球FBGA（x4/x8）。
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