型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN27C160I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產品非常適合用于2.6GHz LTE設計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 SGN27C160I2D
名稱 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產地 日本
封裝 SMT
型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：52.5dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
功率增益：16.3dB（典型值）@f=2.655GHz
經(jīng)驗證的可靠性
相關型號
EGN21C070MK
EGN21C105I2D
EGN21C160I2D
EGN21C210I2D
EGN21C320IV
SGN21C050MK
EGN26C070I2D
EGN26C070MK
EGN26C105I2D
EGN26C160I2D
EGN26C210I2D
SGN26C050MK
SGN27C160I2D
SGN27C210I2D
EGN35C070I2D
SGNC320MK
SGN19C320I2D
SGN21C320I2D
SGN26C320I2D
SGN2729-150D-R
SGN2729-450H-R
