型號簡介
Sumitomo的TC1106是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關增益。該設備最多可用于50個電路GHz，適用于低噪聲應用。所有設備都經(jīng)過100%直流測試，以確保質量一致。所有焊盤鍍金，用于熱壓或熱聲波引線接合。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo
型號 TC1106
名稱 砷化鎵HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 Chip
型號參數(shù)
低噪聲系數(shù)：NF=0.35 dB典型頻率為12 GHz
高相關增益：Ga=14.5 dB，典型頻率為12 GHz
LLg=0.15μm，Wg=160μm
全金金屬化，實現(xiàn)高可靠性
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
1100%直流測試
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