1200 V、8 mΩ、62mm、半橋 SiC 電源模塊
Wolfspeed 的 BM3 電源模塊平臺(tái)提供碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保持穩(wěn)健的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 毫米模塊封裝。由于低電感布局，Wolfspeed 62 mm BM3 封裝的內(nèi)部設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)高速碳化硅開(kāi)關(guān)優(yōu)勢(shì)并提高系統(tǒng)效率。BM3 平臺(tái)非常適合感應(yīng)加熱、鐵路和牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施等高頻工業(yè)應(yīng)用。
特征
- 行業(yè)領(lǐng)先；可靠、堅(jiān)固的碳化硅 MOSFET 技術(shù)；成熟的 62 毫米外形
- 強(qiáng)大的熱性能+針對(duì)工業(yè)和惡劣環(huán)境應(yīng)用優(yōu)化的材料選擇
- 低電感設(shè)計(jì) (10 – 15 nH)，可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)和低功耗
- 符合 HV-H3TRB 標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET 芯片和選定模塊
好處
- 廣泛的額定電流和電壓產(chǎn)品組合可滿足不同的工業(yè)應(yīng)用要求
- 從 62 mm IGBT 封裝過(guò)渡所需的開(kāi)發(fā)量極少，可快速上市
- 降低冷卻要求和總體系統(tǒng)成本
- 優(yōu)化的內(nèi)部布局可實(shí)現(xiàn)低功耗和最小過(guò)沖，從而實(shí)現(xiàn)最大電壓利用率
應(yīng)用領(lǐng)域
- 感應(yīng)加熱
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
- 能源發(fā)電/智能電網(wǎng)/智能能源
- 鐵路
- 電動(dòng)汽車快速充電
- 不間斷電源和開(kāi)關(guān)電源
