DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標準。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
 

• 無外部電源時最少可以保存數(shù)據10年
• 掉電期間數(shù)據被自動保護
• 替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存
• 沒有寫次數(shù)限制
• 低功耗CMOS操作
• 70ns的讀寫存取時間
• 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)
• ±10% VCC工作范圍(DS1250Y)
• 可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)
• 可選的工業(yè)級溫度范圍：-40°C至+85°C，指定為IND
• JEDEC標準的32引腳DIP封裝
• PowerCap模塊(PCM)封裝
  • 表面貼裝模塊
  • 可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池
  • 所有非易失SRAM器件提供標準引腳
  • 分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸

DS1249AB

DS1249Y

DS1265AB

DS1265Y

DS1270AB

DS1270Y

DS1330AB

DS1330Y

DS1345Y

DS1220AB

DS1220AD

DS1225AB

DS1225AD

DS1230AB

DS1230W

DS1230Y

DS1245AB

DS1245W

DS1245Y

DS1250AB

DS1250W

DS1250Y

DS1330W

DS1350W

DS9034PC

DS9034PCI