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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMC1028UVT 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMC1028UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMC1028UVT
  • 名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC1028UVT

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMC1028UVT 這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電(RDS(ON))并且仍然保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMC1028UVT
名稱            互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12, 20 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.1, 3.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25, 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 32, 100 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 40, 140 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4, 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.5, 6.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.5, 11.5 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 787, 576 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6, 6 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
完全無(wú)鉛且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
不含鹵素和銻?!熬G色”設(shè)備
符合 AEC-Q101 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)


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