--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 ZXTP2008ZQ
- 名稱 PNP低飽和中功率晶體管
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 SMD/DIP
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTP2008ZQ(PNP、30V、5.5A、SOT89)這種雙極結(jié)型晶體管(BJT)設計用于滿足汽車應用的要求。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 ZXTP2008ZQ
名稱 PNP低飽和中功率晶體管
產(chǎn)地 臺灣
封裝 SMD/DIP
主要特征
bvco>-30伏
IC=-5.5A連續(xù)集電極電流
ICM=-20A峰值脈沖電流
低飽和電壓VCE(SAT)<-60mV最大值@-1A
RSAT=24m? @ -5.5A用于低等效導通電阻
低至-10mA的卓越增益線性
高增益保持規(guī)定的高達-20A的hFE
完全無鉛且完全符合RoHS(注1和2)
不含鹵素和銻?!熬G色”裝置(注3)
符合AEC-Q101高可靠性標準
PPAP功能(注4)
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