--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率范圍 DC-3.0GHz
- 功率 120W
- 增益 20dB @1.0GHz
- 工作電壓 28V
- 封裝 Pill丸狀封裝
--- 產(chǎn)品詳情 ---
CGH40120P 是一款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計(jì)。這款晶體管適用于多種射頻和微波應(yīng)用,如雙向無(wú)線電、寬帶放大器、蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施和測(cè)試儀器等。它提供高達(dá)2.5吉赫茲的操作頻率,小信號(hào)增益在1.0吉赫茲時(shí)為20分貝,在2.0吉赫茲時(shí)為15分貝,典型輸出功率為120瓦,效率在P32T時(shí)高達(dá)70%,操作電壓為28伏。此外,CGH40120P 還具有以下特點(diǎn):
- 適用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的線性和壓縮放大器電路。
- ADS和MWO的大信號(hào)模型可用。
- 金屬陶瓷藥丸封裝(440206 PN:CGH40120P)。
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