型號簡介
      RF-MOSFET-1000V是Microchip推出的一款晶體管，這款晶體管擁有 1000V 的漏源擊穿電壓，如同堅不可摧的堡壘，抵御著高壓的沖擊，為系統(tǒng)提供穩(wěn)定的功率輸出。N 溝道增強型 MOSFET 結構賦予它強大的力量，使其能夠在各種射頻功率放大器應用中發(fā)揮出色的性能，如同一位無所不能的戰(zhàn)士。

型號規(guī)格

• 品牌：Microchip
• 型號：RF-MOSFET-1000V
• 類別：晶體管
• 封裝：陶瓷

型號特點

• IDSS： 零柵極電壓漏電流，40μA
• IGSS： 零柵極電壓柵極漏電流，±400nA
• gfs： 正向跨導，5.5mhos
• Visolation： 隔離電壓，1000V
• VGS(TH)： 柵極閾值電壓，3V

應用范圍

• 開關電源
• 工業(yè)應用
• 電機控制

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