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L6561D中文功率因數(shù)分析

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論述了以 ST公 司的 L6561芯片構(gòu)成的臨界導(dǎo)通模式有源功率因數(shù)校正的原理,分析了其 在過壓情況下的缺陷,并提 出了一種改進(jìn)的電路 。

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