動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-04-12 01:12

  亞成微:功放包絡電源調制器(ET) 智能功率開關IC AC-DC電源管理IC 線性LED照明驅動IC 功率MOSFET

  

  陜西亞成微電子股份有限公司（簡稱“亞成微”），成立于2006年，陜西省科技廳、財政廳、國稅局共同認定的高新技術企業(yè)。2014年1月在新三板掛牌（股票代碼430552）。亞成微專注于高速功率集成技術設計領域。主要為通信設備提供核心芯片ET-PA；物聯(lián)網(wǎng)終端及可穿戴設備用的高功率密度DC-DC電源芯片（MHz）；LED驅動芯片和AC-DC電源管理芯片，并在基于氮

  IC 調制器

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• 發(fā)布了文章 2022-04-12 01:07

  10.3.7 量子線材料∈《集成電路產業(yè)全書》

  

  QuantumWireMaterials審稿人：南方科技大學段天利https://www.sustech.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產業(yè)全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-04-11 03:02

  10.3 器件性能比較∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  10.3器件性能比較10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7

  碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2022-04-11 01:12

  陸芯：單管IGBT、IGBT模塊、SiC混合型IGBT、SGT MOS新能源電動汽車、電機驅動領域、高頻電源領域、感應加熱等領域

  

  上海陸芯電子科技有限公司成立于2017年5月，是專業(yè)從事最新一代功率半導體研發(fā)、生產和銷售的高新技術企業(yè)。公司掌握核心技術、擁有國際一流的設計能力和工藝開發(fā)技術，匯集優(yōu)秀海歸人才和杰出本土團隊。上海陸芯聚焦于功率半導體的設計和應用，掌握創(chuàng)新型功率半導體核心技術，產品涵蓋了多個電壓段的功率器件，并提供整體的電源管理解決方案。目前累計擁有40多項自主創(chuàng)新專利。2

  IGBT SiC

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• 發(fā)布了文章 2022-04-11 01:07

  10.3.6 鍺錫 GeSn∈《集成電路產業(yè)全書》

  

  GeSn審稿人：南方科技大學王輝https://www.sustech.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產業(yè)全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-04-10 01:09

  10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  10.2.2橫向漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK

  碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2022-04-10 01:07

  10.3.5 碳納米管（CNT）∈《集成電路產業(yè)全書》

  

  CarbonNanotube（CNT）審稿人：北京大學傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產業(yè)全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MC

  集成電路

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• 發(fā)布了文章 2022-04-09 04:17

  10.2.1 垂直漂移區(qū)（SM）JTE∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  10.2.1垂直漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK

  碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2022-04-09 01:31

  10.3.4 納米線材料∈《集成電路產業(yè)全書》

  

  NanowireMaterials審稿人：北京大學傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發(fā)展《集成電路產業(yè)全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUP

  集成電路 材料

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• 發(fā)布了文章 2022-04-08 05:02

  10.1.7 多浮空區(qū)（MFZ）JTE和空間調制（SM）JTE∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  10.1.7多浮空區(qū)（MFZ）JTE和空間調制（SM）JTE10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILIN

  碳化硅

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