DRAM市場受美中貿(mào)易戰(zhàn)、英特爾中央處理器（CPU）缺貨比預(yù)期嚴重等負面因素干擾，市況冷颼颼。通路商透露，本季合約價跌幅高達一成，已較原預(yù)期高，近期下游降低備貨，甚至反手出清庫存，導(dǎo)致賣壓加重，明年合約價首季跌幅恐持續(xù)擴大，預(yù)估價格跌勢恐至明年第2季中旬才會趨緩。

DRAM產(chǎn)業(yè)再次陷入景氣下滑循環(huán)，南亞科、華邦電、威剛、創(chuàng)見等業(yè)者首當(dāng)其沖。法人指出，DRAM普遍用于智慧手機、伺服器等重要電子終端產(chǎn)品，DRAM需求轉(zhuǎn)弱，也意味聯(lián)發(fā)科、廣達、雙A等電子業(yè)芯片、代工、品牌業(yè)者同步面臨挑戰(zhàn)。

業(yè)者坦言，DRAM高峰在今年第3季止步反轉(zhuǎn)，本季跌幅擴大，合約價由業(yè)者原預(yù)估的5%擴大到10%，反映市場觀望心態(tài)濃厚。如今看來，要到明年第2季中旬才可望回升，意味要看到市場好轉(zhuǎn)，最快還要等半年。

外資摩根士丹利也看淡記憶體后市，認為近期記憶體報價快速走跌，導(dǎo)致廠商庫存開始過度堆積，特別是DRAM情況最嚴重，隨第1季淡季到來，廠商要短期消化這么多庫存的挑戰(zhàn)極大，并暗示廠商將面臨「辛苦的一年」，明年能不能「有感復(fù)蘇」存在很大疑慮。

通路商透露，DRAM跌勢明年首季仍會持續(xù)，主因美中貿(mào)易戰(zhàn)影響，不少在中國大陸設(shè)生產(chǎn)線的系統(tǒng)或模組廠擔(dān)心美國對中國大陸開始課征10%，后續(xù)更可能提高到25%，已陸續(xù)將產(chǎn)線移出至東南亞或回***，造成備貨需求減少，甚至反手將手中庫先行調(diào)節(jié)，等產(chǎn)線重設(shè)完成驗證后，再回補庫存。

此外，英特爾處理器缺貨比預(yù)期嚴重，加上蘋果和非蘋智慧手機銷售不如預(yù)期，紛紛下修備貨量，因個人電腦和手機二者合計占DRAM相當(dāng)高比重，如此一來，也讓原本相當(dāng)強勢的DRAM供應(yīng)商態(tài)度轉(zhuǎn)化。

受到通路商和系統(tǒng)廠反手拋出手中存貨，加上美中貿(mào)易戰(zhàn)未透露雙方和解明確跡象，讓買盤在首季淡季備貨需求更顯疲弱，通路商預(yù)估明年首季DRAM價格跌勢，恐會比本季還大。

新需求靠AI、5G帶動

DRAM市場再度陷入景氣向下循環(huán)周期，業(yè)者認為，此波景氣調(diào)整后，下一波帶起市場需求的，將是人工智慧（AI）與第五代行動通訊（5G）兩大應(yīng)用。

受市場需求不振、價格走弱影響，全球DRAM指標廠股價同步回檔修正，美國記憶體芯片大廠美光上周五（14日）重挫逾2.3%，收34.2美元，直逼一年來最低價34.06元；***最大DRAM南亞科上周五跌0.8元、收53.5元，本月以來跌逾一成。

業(yè)者認為，DRAM是科技產(chǎn)品重要元件，如今價格反轉(zhuǎn)下跌，更凸顯PC和智慧型手機市況不佳。不過記憶體業(yè)者仍樂觀看待5G和AI來臨，將開啟DRAM，甚至儲存型快閃記憶體（NAND Flash）強勁需求。

力晶集團執(zhí)行黃崇仁直言，近期DRAM市場遭遇亂流，但也讓原本大舉進軍DRAM生產(chǎn)的中國大陸廠商開始思索是否要投入大量資源，尤其美國司法部介入美光控告晉華和聯(lián)電案，更讓大陸廠商多所顧忌，可能因此放緩擴產(chǎn)腳步，有助減少供給。