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麻省理工開(kāi)發(fā)微加工技術(shù)可生產(chǎn)最小的3D晶體管

電子工程師 ? 來(lái)源:ch ? 2018-12-12 09:40 ? 次閱讀
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摩爾定律是指計(jì)算機(jī)芯片上的晶體管數(shù)量每隔2年左右會(huì)翻一番,并在過(guò)去數(shù)十年中成功驗(yàn)證。不過(guò)伴隨著生產(chǎn)工藝要求的提升,越來(lái)越多的人質(zhì)疑未來(lái)摩爾定律是否依然有效。

麻省理工學(xué)院和科羅拉多大學(xué)的工程師近日成功研發(fā)出新的微加工技術(shù),可用于生產(chǎn)有史以來(lái)最小的3D晶體管,尺寸是目前主流商用產(chǎn)品的三分之一。

幾年前,芯片行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)是14nm生產(chǎn)工藝,是指每個(gè)晶體管的寬度。目前在商業(yè)領(lǐng)域,iPhone XR、iPhone XS和iPhone XS Max上裝備的A12 Bionic芯片就是7nm生產(chǎn)工藝,而且目前已經(jīng)有生產(chǎn)廠商開(kāi)始試驗(yàn)5nm生產(chǎn)工藝。

而研究人員開(kāi)發(fā)的一些新晶體管再次將其減半,根據(jù)測(cè)量創(chuàng)紀(jì)錄的達(dá)到2.5納米寬。

為了制造它們,該團(tuán)隊(duì)在新進(jìn)開(kāi)發(fā)的微加工工藝熱原子層蝕刻(thermal ALE)基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)。首先他們將稱之為銦鎵砷(indium gallium arsenide)的合金半導(dǎo)體材料暴露于氟化氫(hydrogen fluoride)上,用于在基板表面上形成薄薄的金屬氟化物層。

接下來(lái)該團(tuán)隊(duì)添加了一種名為二甲基氯化鋁(DMAC)的有機(jī)化合物,用于觸發(fā)配位體交換(ligand exchange)的化學(xué)反應(yīng)。DMAC中名為“l(fā)igands”的離子和金屬氟化物層中的原子結(jié)合,因此當(dāng)DMAC被清除時(shí),它將單個(gè)原子從金屬表面上剝離。每次刻蝕僅0.2納米,當(dāng)重復(fù)數(shù)百次過(guò)程時(shí),蝕刻精度可以達(dá)到令人驚嘆的地步。

該研究的第一作者盧文杰說(shuō):“這就有點(diǎn)像是一層層的剝洋蔥。在每個(gè)循環(huán)中,我們只能蝕刻掉2%的納米材料。這使我們具有超高的精度和對(duì)過(guò)程的精確控制。”研究人員使用該技術(shù)制造了FinFET(鰭片場(chǎng)效應(yīng)晶體管),通常情況下精度為5nm,而最高精度可以達(dá)到2.5納米。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:麻省理工開(kāi)發(fā)微加工技術(shù) 可將3D晶體管工藝縮小至2.5nm

文章出處:【微信號(hào):IC-008,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體那些事兒】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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