亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢介紹

TI視頻 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-08-17 02:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種,都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%,其韌性高于綠碳化硅,大多用于加工抗張強度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上,自銳性好,大多用于加工硬質(zhì)合金、鈦合金和光學(xué)玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅,它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體,用以制作的磨具適于軸承的超精加工,可使表面粗糙度從Ra32~0.16微米一次加工到Ra0.04~0.02微米。

氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    10256

    瀏覽量

    175886
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    1842

    瀏覽量

    119088
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3241

    瀏覽量

    51591
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料碳化硅有著高擊穿場強和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?939次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的應(yīng)用<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料氮化、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?725次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    基于芯干線氮化碳化硅的100W電源適配器方案

    半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,廣泛應(yīng)用于集成電路、消費電子及工業(yè)設(shè)備等場景,其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 06-05 10:33 ?2072次閱讀
    基于芯干線<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>與<b class='flag-5'>碳化硅</b>的100W電源適配器方案

    基于氮化碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器

    對于碳化硅(SiC)或氮化(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題,而驅(qū)動電路在
    的頭像 發(fā)表于 05-08 11:08 ?913次閱讀
    基于<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>的<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?912次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1041次閱讀

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?815次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?

    納微半導(dǎo)體氮化碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈

    近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?1031次閱讀
    納微半導(dǎo)體<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>和<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈

    碳化硅材料的特性和優(yōu)勢

    碳化硅(SiC)是一種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件,SiC的應(yīng)用范圍廣泛,其獨特的性能使其成為許多應(yīng)用中的首選材料
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:11 ?2306次閱讀

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2230次閱讀

    為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:27 ?1458次閱讀
    為什么650V SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b>?

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅氮化介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2389次閱讀
    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:<b class='flag-5'>碳化硅</b>和<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>介紹</b>

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨特的物理和化學(xué)特性,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域: 電子
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?6407次閱讀

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?2591次閱讀