全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards）是電子產(chǎn)業(yè)界享有盛譽的年度獎項，旨在評選并表彰對全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出突出貢獻的企業(yè)與產(chǎn)品。該獎項以其權威性和國際影響力，成為衡量企業(yè)創(chuàng)新實力的重要標尺。

2025年度WEAA評選現(xiàn)已進入白熱化階段，安世半導體（Nexperia）憑借其領先的技術實力，兩款重磅功率產(chǎn)品創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝 NextPower 80/100 V MOSFET與頂部散熱型X.PAK封裝的1200 V SiC MOSFET成功入圍“年度功率半導體”獎項候選名單！

入圍明星產(chǎn)品

01創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝 NextPower 80/100 V MOSFET

這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊，便于無縫集成。

· 應用市場 ·

非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)、人工智能服務器熱插拔功能以及其他對電力需求較高的應用。

02頂部散熱型X.PAK封裝的1200 V SiC MOSFET

該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此款產(chǎn)品精準滿足了眾多高功率（工業(yè)）應用領域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。

· 應用市場 ·

適合電動汽車充電基礎設施、光伏逆變器、開關電源、不間斷電源和電動機驅(qū)動。

安世半導體始終致力于為全球客戶提供高效、可靠的半導體解決方案，推動技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級。您的認可對我們至關重要！

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎半導體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。