概述：

功率MOS場效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管，工作電壓最高達(dá)到1kV（SiC：2kV），具有高開關(guān)速度和最佳效率。

這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電子、電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器、射頻應(yīng)用、交通出行技術(shù)和汽車電子等廣泛應(yīng)用中占據(jù)核心地位。

特性

- N溝道-增強(qiáng)模式

- 通過汽車AEC Q101認(rèn)證

- MSL1峰值回流溫度高達(dá)260°C

- 175°C工作溫度

- 環(huán)保產(chǎn)品（符合RoHS規(guī)范）

- 100%通過雪崩測試

優(yōu)勢：

- 蕞高電流能力180A

- 低開關(guān)功耗和傳導(dǎo)功率損耗，造就極高的熱效率

-穩(wěn)固的封裝，出色的品質(zhì)，高可靠性

- 優(yōu)化極柵電荷總量，實(shí)現(xiàn)更小的驅(qū)動器輸出級

應(yīng)用

- 48V逆變器

- 48V DC/DC

- HID照明

審核編輯 黃宇