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低碳化、數(shù)字化推動可持續(xù)發(fā)展 英飛凌亮相2024慕尼黑上海電子展

章鷹觀察 ? 來源:廠商供稿 ? 作者:英飛凌 ? 2024-07-11 09:55 ? 次閱讀
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7月8~10日,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌攜廣泛的功率及電源類半導(dǎo)體產(chǎn)品亮相“2024慕尼黑上海電子展”。以“低碳化和數(shù)字化推動可持續(xù)發(fā)展”為主題,全面展示了英飛凌在綠色低碳可持續(xù)技術(shù)領(lǐng)域的深厚積淀,以及在綠色能源與工業(yè)、智能家居、電動汽車等應(yīng)用市場的創(chuàng)新解決方案。在展會期間,還首次舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”,聚焦于第三代半導(dǎo)體新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果,與行業(yè)伙伴共同探討寬禁帶領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展,攜手推動低碳化和數(shù)字化的發(fā)展進(jìn)程。

伴隨新能源多應(yīng)用市場的蓬勃發(fā)展,第三代半導(dǎo)體技術(shù)對新質(zhì)生產(chǎn)力的支撐作用日益增強(qiáng)。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體已成為綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力,幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。作為全球功率系統(tǒng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌在第三代半導(dǎo)體如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)領(lǐng)域持續(xù)布局,通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張及市場應(yīng)用拓展,為光儲、智能家居、新能源汽車等低碳化趨勢下的關(guān)鍵行業(yè)提供了高性能的功率半導(dǎo)體解決方案,推動了行業(yè)的綠色轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展。

英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉

在9日上午的主論壇開場致辭中,英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉表示:“半導(dǎo)體解決方案是實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵,寬禁帶半導(dǎo)體能顯著提升能源效率,推動實(shí)現(xiàn)低碳轉(zhuǎn)型。在當(dāng)前綠色低碳化的大背景下,以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體作為新材料和新技術(shù)已開始廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、儲能、快充等多個領(lǐng)域。作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌憑借持續(xù)的技術(shù)革新與市場布局,在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮著引領(lǐng)作用,致力于滿足經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展對于更高能效、更環(huán)保的半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求?!?/p>

在《寬禁帶創(chuàng)新技術(shù)加速低碳化和數(shù)字化》主題演講中,英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉和英飛凌科技副總裁、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人沈璐分別從市場角度闡述了英飛凌在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢?;谠赟iC領(lǐng)域的豐厚積累,英飛凌擁有40多年對SiC工藝制程、封裝和失效機(jī)理的理解,全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠以及業(yè)界最廣泛的SiC產(chǎn)品組合、應(yīng)用市場、客戶群覆蓋。尤其是推出的新一代CoolSiCTM MOSFET Gen2技術(shù),與上一代產(chǎn)品相比,將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲量)提高了20%,顯著提升整體能效。在GaN方面,自去年10月完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),目前英飛凌的氮化鎵產(chǎn)品組合包括高壓和中壓的BDS、感測、驅(qū)動和控制系列,可廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器、車載充電器(OBC)、光伏、電機(jī)控制、充電器和適配器等。如在AI服務(wù)器領(lǐng)域,基于AI系統(tǒng)對更高功率的需求,進(jìn)一步增加了半導(dǎo)體的使用量。

在技術(shù)市場方面,英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場負(fù)責(zé)人陳志豪和英飛凌科技高級技術(shù)總監(jiān)、英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)市場負(fù)責(zé)人陳立烽則從技術(shù)應(yīng)用的角度介紹了英飛凌寬禁帶產(chǎn)品如何助力能源效率提升。如Si 、SiC 和GaN三種半導(dǎo)體材料器件的技術(shù)特性對比,指出雖然硅超級結(jié)在低開關(guān)頻率中占優(yōu),但SiC和GaN終將主導(dǎo)新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和高頻應(yīng)用;結(jié)合CoolSiC?和CoolGaN?的技術(shù)特性及優(yōu)勢,分別在不同領(lǐng)域的典型應(yīng)用案例,如在公共電源轉(zhuǎn)換(PCS)系統(tǒng)中采用SiC模塊,可實(shí)現(xiàn)>99%的效率,CoolGaN?雙向開關(guān)在微型逆變器中的應(yīng)用等。

此外,Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向與會者分享了全球碳化硅與氮化鎵市場最新發(fā)展趨勢及展望。華中科技大學(xué)教授、博導(dǎo)彭晗綜合介紹了寬禁帶功率器件的應(yīng)用機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

在9日下午舉行的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)分論壇上,來自英飛凌及行業(yè)內(nèi)的近20位嘉賓,從市場趨勢、應(yīng)用方案、技術(shù)創(chuàng)新等多個維度為與會者呈現(xiàn)了兩場精彩的寬禁帶半導(dǎo)體知識盛宴。市場趨勢上,深入剖析了新能源汽車、光伏、儲能、服務(wù)器電源等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體需求的快速增長,同時,隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步下降,寬禁帶半導(dǎo)體將迎來更加廣闊的發(fā)展空間。

英飛凌展臺

綠色能源與工業(yè)

功率半導(dǎo)體在降低能耗、提高能源轉(zhuǎn)換效率方面發(fā)揮著突出作用,是實(shí)現(xiàn)雙碳目標(biāo)的利器。作為功率半導(dǎo)體市場的全球領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌提供高能效和高功率密度的領(lǐng)先半導(dǎo)體解決方案,全面覆蓋從發(fā)電到輸配電再到儲能和用電的電力全產(chǎn)業(yè)鏈,為行業(yè)發(fā)展注入綠色動能。

在綠色能源與工業(yè)展區(qū),英飛凌重點(diǎn)展出的亮點(diǎn)產(chǎn)品和解決方案包括用于光伏發(fā)電的四路2000V 60A MPPT EasyPACK? CoolSiC? MOSFET 3B碳化硅模塊,該模塊可以在簡化系統(tǒng)設(shè)計的同時,提高功率密度、降低總體成本;還有光伏組串逆變器EasyPACKTM 模塊,該模塊由950V IGBT7和1200V SiC二極管構(gòu)成, 能有效降低IGBT的開關(guān)損耗;同時還有專為滿足集中式太陽能逆變器以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和不間斷電源(UPS)的需求而開發(fā)的62mm封裝2000V CoolSiCTM半橋模塊。此外,業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的2kV CoolSiCTM單管以及英飛凌第二代CoolSiCTM單管均有展出。

智能家居

在智能家居展區(qū),英飛凌的 “火箭飛船著陸器” 以有趣的互動游戲,向觀眾展示了使用英飛凌PSOC? Edge MCU的高性能計算能力。在一個10英寸的顯示屏上,玩家通過手勢控制下降的火箭,使其遠(yuǎn)離障礙物并安全著陸,結(jié)合Cortex?-M55與Helium DSP來解決計算需求和具有挑戰(zhàn)性的游戲邏輯,以及Ethos?-U55 CPU來有效執(zhí)行機(jī)器學(xué)習(xí)模型。手勢識別由英飛凌XENSIV?傳感器(BGT60TR13C)執(zhí)行,并與先進(jìn)的HMI功能相結(jié)合,以實(shí)現(xiàn)豐富的視覺元素和游戲圖形。

在功率電源領(lǐng)域,英飛凌6月最新推出的中壓CoolGaN? 器件也重磅亮相,與之相匹配地還展出了基于英飛凌中壓氮化鎵的2KW馬達(dá)驅(qū)動解決方案。此外,240W USB-PD適配器1C展品采用了數(shù)字控制XDPS2222 Combo IC CrM PFC + 混合反激HFB + GaN,展示了英飛凌高功率、單端口的數(shù)字電源解決方案。

除了元器件,英飛凌還通過“智能電磁爐參考設(shè)計”展示了其卓越的一站式解決方案能力。該參考設(shè)計涵蓋了打造高端電磁爐所需的全套解決方案,包括先進(jìn)的微控制器、IGBT、柵極驅(qū)動器、電流傳感器、CAPSENSE? HMI、麥克風(fēng)以及無線連接組件,有效加速開發(fā)進(jìn)程。這款全功能入門套件憑借其先進(jìn)功能可助力客戶的電磁爐解決方案在未來幾年內(nèi)保持行業(yè)領(lǐng)先地位。

電動汽車

作為全球最大的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商,英飛凌在汽車電子領(lǐng)域深耕數(shù)十年,能夠提供廣泛的產(chǎn)品和解決方案組合,賦能未來出行。

在電動汽車展區(qū),英飛凌進(jìn)行了一系列的技術(shù)演示,其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK? Drive碳化硅功率模塊的電機(jī)控制器系統(tǒng)演示,該系統(tǒng)集成了AURIX? TC3xx、第二代1200V SiC HybridPACK? Drive模塊、第三代EiceDRIVERTM驅(qū)動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等,讓現(xiàn)場觀眾身臨其境地體驗并深入了解英飛凌產(chǎn)品的卓越功能、創(chuàng)新特性,及其在緩解電動汽車?yán)锍探箲]應(yīng)用中所展現(xiàn)的獨(dú)特價值。

此外,英飛凌還在該展區(qū)展示了電流傳感器模組、分立功率器件家族、QDPAK封裝低導(dǎo)通電阻碳化硅器件、基于可焊接TO247單管的組件Demo方案、HybridPACK? Drive產(chǎn)品系列、11kW OBC全GaN高功率密度充電系統(tǒng)解決方案,還有基于CoolMOS?和OptiMOS?功率MOSFET、CoolGaN? SG HEMT開關(guān)、CoolMOS? QDPAK CFD7A、6.5A 2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiC MOSFET)等諸多支持電動出行和電動交通快速發(fā)展的產(chǎn)品和解決方案。

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