Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
SiHR080N60E以其小巧的PowerPAK 8 x 8 LR封裝設計脫穎而出，其僅10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm的緊湊尺寸，相較于傳統(tǒng)的D2PAK封裝，占位面積大幅減少了50.8%，同時高度降低了驚人的66%。這種小巧且高效的設計，不僅節(jié)約了寶貴的空間資源，還顯著提升了系統(tǒng)的功率密度，為現(xiàn)代電子設備的發(fā)展注入了新的活力。
隨著通信、工業(yè)和計算應用對性能要求的不斷提高，高效、高功率密度的解決方案變得愈發(fā)重要。Vishay公司的這款新型功率MOSFET正是為了滿足這一市場需求而生，它將為各行各業(yè)帶來更高效、更可靠的電力控制解決方案。
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