亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

世紀(jì)金光6-8英寸SiC單晶襯底項(xiàng)目簽約包頭

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-10-16 14:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

10月10日,包頭市人民政府與北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司在包頭市正式簽署“年產(chǎn)70萬片6-8 英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目”戰(zhàn)略合作協(xié)議。

據(jù)科創(chuàng)包頭透露,該計(jì)劃將在包頭、北京科創(chuàng)基地合作引進(jìn)計(jì)劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)總投資34.57億韓元。建設(shè)總事業(yè)建設(shè)周期將在3年正式啟動(dòng)時(shí),每年要投入能夠同時(shí)容納70萬6-8英寸單晶襯底生產(chǎn)線的碳化硅芯片和研磨加工和檢查等。

北京世紀(jì)金色半導(dǎo)體有限公司是寬3代禁止攜帶半導(dǎo)體功能材料和功率器件開發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè),創(chuàng)新的解決了高純碳化硅粉末材料提純技術(shù),6英寸碳化硅制造技術(shù),高壓低導(dǎo)通電阻碳化硅sbd mosfet結(jié)構(gòu)和工藝設(shè)計(jì)技術(shù)等。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53353

    瀏覽量

    456579
  • 單晶
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    63

    瀏覽量

    14470
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3241

    瀏覽量

    51589
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    12英寸碳化硅襯底,會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年以來,各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品,包括晶錠和襯底,加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近,天成半
    的頭像 發(fā)表于 07-30 09:32 ?1w次閱讀

    12英寸SiC,再添新玩家

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后,業(yè)界并沒有停下腳步,開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?7023次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展

    尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?2573次閱讀

    我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!

    2025年3月5日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國(guó)際領(lǐng)先地位,也為我國(guó)
    的頭像 發(fā)表于 03-07 11:43 ?2090次閱讀
    我國(guó)首發(fā)<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b>,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!

    士蘭微電子8英寸碳化硅項(xiàng)目封頂

    近日,士蘭微電子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目(廈門士蘭集宏一期)正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場(chǎng),海滄臺(tái)商投資區(qū)管委會(huì)副主任眭國(guó)瑜,士蘭微電子董事會(huì)秘書、高級(jí)副總裁陳越,中建
    的頭像 發(fā)表于 03-04 14:20 ?994次閱讀

    晶盛機(jī)電:6-8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)批量出貨

    端快速實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)突破,公司8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售,12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國(guó)內(nèi)頭部封裝客戶,12英寸硅減壓外延生長(zhǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售出貨并拓展了新客戶,相關(guān)設(shè)備訂單
    的頭像 發(fā)表于 02-22 15:23 ?1616次閱讀

    環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定

    近日,環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國(guó)臺(tái)灣制造商正專注于開發(fā)8
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?808次閱讀

    第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展:4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

    生長(zhǎng)4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶仍沿用了細(xì)籽晶誘導(dǎo)+錐面放肩技術(shù),籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向,可加工4英寸(010)面襯底,適合SBD等高功率器件應(yīng)用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的
    發(fā)表于 02-17 09:13 ?1152次閱讀

    鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

    VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵
    的頭像 發(fā)表于 02-14 10:52 ?746次閱讀
    鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4<b class='flag-5'>英寸</b>氧化鎵<b class='flag-5'>單晶</b>導(dǎo)電摻雜

    豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

    近日,日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破:成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm(8英寸)氮化鎵(GaN)單晶晶圓。
    的頭像 發(fā)表于 01-23 16:46 ?1104次閱讀

    日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓

    1月8日消息,日本豐田合成株式會(huì)社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm(8英寸)氮化鎵 (GaN)單晶晶圓。 據(jù)介紹,與使用采
    的頭像 發(fā)表于 01-09 18:18 ?1220次閱讀

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長(zhǎng)室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    <b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b>單片高溫碳化硅外延生長(zhǎng)室結(jié)構(gòu)

    天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

    碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料之一,近20年來隨著SiC材料加工技術(shù)的不斷提升,其應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。目前SiC芯片的制備仍然以6
    的頭像 發(fā)表于 12-07 10:39 ?2193次閱讀
    天域半導(dǎo)體<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>SiC</b>晶圓制備與外延應(yīng)用

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?5136次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>襯底</b>,進(jìn)化到12<b class='flag-5'>英寸</b>!

    SiC單晶襯底加工技術(shù)的工藝流程

    SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來新出現(xiàn)的晶圓制備方法。
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:49 ?1814次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>單晶</b><b class='flag-5'>襯底</b>加工技術(shù)的工藝流程