器件在使用過程中最常見的失效模式之一就是電浪涌引起的電過載（EOS)損傷或燒毀。下面簡聊下集成電路電浪涌的產(chǎn)生和預防。

1.什么是電浪涌（電過載EOS）

電源電網(wǎng)的波動，電路狀態(tài)的變化，外來干擾信號的饋入以及旁鄰元器件的失效，都會在電路中產(chǎn)生峰值很高的電流或電壓脈沖，稱為電浪涌（電過載EOS），電浪涌會使器件瞬間工作在超過最大額定值的狀態(tài)下。電浪涌的平均功率很小，但瞬時功率很大，足以引起器件失效。有時較低功率的浪涌也會引起器件自激或CMOS電路閂鎖效應而導致失效。電浪涌引起的失效占集成電路使用失效的50%以上。

2.電浪涌與靜電的區(qū)別

靜電和電浪涌的區(qū)別在于靜電是電壓高而能量小，而浪涌能量較大，所以靜電失效的電路表面看不到失效點，功耗并不超標。而電浪涌損傷往往在開帽鏡檢時可以看到，往往伴隨著功耗的增加。

異常電應力燒毀一個器件，靠的不是器件感受到多少電壓，而是該電應力在器件上產(chǎn)生了多少焦耳的熱能。就好比說，一個人站在幾十千伏高壓輸電線下沒事，而用手摸220V交流電就有事是一個道理。

焦耳定律：流過純阻性負載上產(chǎn)生的熱能：

Q=W=Uit=U2/R×t

若R=5Ω，U1=1000V（靜電），t1=1us(靜電)，則靜電在半導體上產(chǎn)生的熱能為：

Q1=10002V/5Ω×1uS=200 毫焦耳

若R=5Ω，U2=50V（電浪涌），t2=100ms（電浪涌）,則電浪涌在半導體結上產(chǎn)生的熱能為：

Q2=502V/5Ω×100mS=50 焦耳

3.電路中產(chǎn)生電浪涌的原因

（a）電容負載接通時產(chǎn)生浪涌電流。開關電路驅(qū)動電容負載時，當電路中有電壓突變時，由于電容上電壓不能突變，就會產(chǎn)生一個為電容充電的瞬間電流。其大小為

例如一個穩(wěn)壓器，輸出端接一個大電容，輸入端沒有接電容。在加電的瞬間，就會產(chǎn)生非常大的電流，將穩(wěn)壓器燒毀。

（b）電感負載關斷時產(chǎn)生浪涌電壓。當電路由開態(tài)向關態(tài)轉(zhuǎn)換時，由于電感上的電流不能突變，在電感上就會產(chǎn)生一個阻止電流變化的浪涌電壓。其大小為

。

（c）當電路中使用輸入或輸出變壓器時，在輸入變壓器初級或輸出變壓器次級開路狀態(tài)下，會感應很高的電壓，導致電路輸入級或輸出級損傷。

（d）電網(wǎng)電壓的波動，特別是突然的停電和來電，也會產(chǎn)生很大的浪涌電壓和浪涌電流。

（e）由于接線錯誤或操作失誤，如加電順序錯誤導致電路中某些晶體管正向擊穿或反相擊穿，不但晶體管特性變壞，還會引起浪涌電流。

（f）數(shù)字電路翻轉(zhuǎn)可產(chǎn)生浪涌電流。數(shù)字電路的翻轉(zhuǎn)過程往往是部分晶體管由導通轉(zhuǎn)為截止，而另一部分晶體管由截止轉(zhuǎn)為導通。晶體管都有相應的開關時間，即存儲電荷的充放電時間，翻轉(zhuǎn)時會出現(xiàn)兩部分晶體管同時導通，就在電路中形成了浪涌電流。

4.電浪涌的預防

（a）正確的使用集成電路，包括正確連接、加電順序、斷電順序、試驗程序、操作方法等。認真檢查外圍電子元器件，防止外圍電子元器件失效導致浪涌產(chǎn)生。

（b）對于產(chǎn)生浪涌電流的電路，原則上串入適當?shù)碾姼谢?a target="_blank">電阻來加以消除。

（c）對于產(chǎn)生浪涌電壓的電路，原則上并聯(lián)一個電阻，或一個二極管（電壓浪涌發(fā)生時二極管應導通）來加以消除。

（d）設計中按集成電路使用說明書進行電路設計，該使用的元器件一定不要少，如消振電容、電源濾波電容等。

（e）避免輸入變壓器初級和輸出變壓器次級開路，必要時，可并聯(lián)一個電阻或電容。