SiC器件如何推動EV市場發(fā)展
汽車子系統(tǒng)的設(shè)計師不斷努力尋找創(chuàng)新的方法來延長EV的續(xù)航里程并縮短充電時間。在實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的過程中，他們將基于硅的技術(shù)在尺寸、重量和電源效率方面推向物理極限，因而需要轉(zhuǎn)向碳化硅（SiC）來幫助其應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。與硅相比，SiC器件具有更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度，并且能夠在更高的結(jié)溫下耐受更大的電壓和電流。這些特性結(jié)合其更小的尺寸以及更高的效率，提高了功率密度，這使SiC成為了許多重要EV應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。據(jù)我們估計，SiC功率半導(dǎo)體市場有望增長到目前10億美元估值的五倍，這并不奇怪。
EV應(yīng)用中有幾個新興趨勢可以從我們基于SiC的可靠解決方案中受益。今天推薦專家博文《SiC器件如何推動EV市場發(fā)展》，將針對EV充電基礎(chǔ)設(shè)施中的四個要素（EV充電站、車載充電器、電池管理系統(tǒng)及電機(jī)功率控制單元）分別進(jìn)行闡述。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
microchip
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
1608瀏覽量
120445 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3421瀏覽量
67683
原文標(biāo)題：專家博文《SiC器件如何推動EV市場發(fā)展》
文章出處：【微信號：MicrochipTechnology，微信公眾號：Microchip微芯】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
傾佳電子SiC碳化硅功率器件戰(zhàn)略市場精通指南：從業(yè)者進(jìn)階之路
傾佳電子SiC碳化硅功率器件戰(zhàn)略市場精通指南：從業(yè)者進(jìn)階之路 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
森國科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品
了 2000V SiC 分立器件及模塊產(chǎn)品。森國科的2000V SiC產(chǎn)品系列正是順應(yīng)市場需求而生，它能在提高效率、降低損耗等方面發(fā)揮重要作用。
Keithley高壓靜電計的SiC器件兆伏級瞬態(tài)擊穿特性研究
一、引言 1.1 SiC材料在高壓電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用背景 碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，其物理特性（如3.3 eV的禁帶寬度、3.7×106 V/cm的臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等
AMAZINGIC晶焱科技技術(shù)應(yīng)用：典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
AMAZINGIC晶焱科技技術(shù)應(yīng)用：典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
碳化硅（SiC）MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯
碳化硅（SiC）MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯:低價SiC器件的“致命性”在于性價比的絕對碾壓
典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
發(fā)表于 01-04 12:37
SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC
應(yīng)用筆記 | SiC模塊并聯(lián)驅(qū)動振蕩的抑制方法
SiC MOSFET與傳統(tǒng)Si器件相比，具有高電壓、大電流、高速驅(qū)動、低損耗、高溫穩(wěn)定等諸多優(yōu)點(diǎn)，是新一代器件。近年來，利用這些優(yōu)異特性，作為向大功率發(fā)展的電動汽車 (
發(fā)表于 11-27 14:23
碳化硅SiC在光電器件中的使用
碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體，具有以下特性： 寬帶隙 ：SiC的帶隙寬度約為3.26eV，遠(yuǎn)大于硅（Si）的1.12eV，這使得SiC在高溫、高頻和高功率應(yīng)
碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用
和熱學(xué)性能，成為了許多高性能電子器件的首選材料。 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅原子組成的化合物半導(dǎo)體材料，具有以下特性： 寬帶隙 ：SiC的帶隙約為3.23 eV，遠(yuǎn)高于硅的1.12
揭秘安森美在SiC市場的未來布局
目前，SiC功率器件產(chǎn)品迎來了全面爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。2024年新能源汽車的競爭進(jìn)入白熱化階段，國產(chǎn)SiC
工商網(wǎng)監(jiān)
評論