ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”，是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件，還促進充分發(fā)揮其性能的控制元器件的開發(fā)。

工業(yè)設備輔助電源的課題是減少發(fā)熱

在變頻器等高電壓工業(yè)設備，不僅具備驅動電機等的主電源，還同時具備控制器和其他系統(tǒng)驅動用的輔助電源。尤其是在工業(yè)設備中使用時，輸入電壓高，輔助電源中廣泛使用耐壓1000V以上的Si-MOSFET。

然而，超過1000V的高耐壓Si-MOSFET的導通電阻大，必須處理導通損耗帶來的發(fā)熱問題。

SCT2H12NZ就是為解決這類工業(yè)設備輔助電源的課題而開發(fā)的。

導通電阻降低到Si-MOSFET的1/8

這是與工業(yè)設備輔助電源中廣泛使用的1500V耐壓Si-MOSFET的比較例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐壓更高，達1700V，導通電阻僅為Si-MOSFET（9Ω）的1/8（1.15Ω）。由此，可大幅降低損耗、即可大幅減少發(fā)熱，有些條件下還可實現散熱器的小型化。

此外，封裝采用TO-3PFM，可確保工業(yè)設備要求的絕緣相應的爬電距離。同樣確保所需爬電距離的表面貼裝型TO-268-2L封裝產品也正在開發(fā)中。通過采用表面貼裝型封裝，可使用自動安裝設備進行組裝。

以下是此次開發(fā)的產品陣容。

table th{ padding: 8px 3px 7px 10px; border:1px solid #999; padding:5px 0 5px 5px; text-align: center; background-color:#f5f5f5; vertical-align:middle; } table td{ padding:8px 8px 7px 8px; border:1px solid #999; text-align: left; text-align: center; vertical-align:middle; }

1700V SiC-MOSFET產品陣容

☆：開發(fā)中

SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET

重點必看

與SiC用AC/DC轉換器控制IC組合，效率顯著提高

審核編輯黃宇