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IGBT中頻電源概述及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

佳恩半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:佳恩半導(dǎo)體 ? 作者:佳恩半導(dǎo)體 ? 2022-04-18 16:10 ? 次閱讀
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串聯(lián)諧振中頻感應(yīng)爐采用IGBT中頻電源。IGBT中頻電源是一種新型的IGBT逆變器模塊,主要用來(lái)熔煉碳鋼,合金鋼,鑄鋼,有色金屬。IGBT中頻電源具有加熱速度快,節(jié)能環(huán)保的特點(diǎn)。

IGBT中頻電源作為恒功率電源,即使添加少量的金屬也可達(dá)到全功率輸出,并且保持恒定不變,因此加熱速度快。采用串聯(lián)諧振變壓器,變壓器電壓高,所有的IGBT中頻電源比可控硅電源節(jié)能。IGBT采用頻率調(diào)控系統(tǒng)調(diào)整頻率,整流部分包括全橋整流器,感應(yīng)器和電容濾波器,因此IGBT中頻電源產(chǎn)生極少的低次諧波,低網(wǎng)格污染。

IGBT中頻電源比可控硅中頻電源節(jié)約電能15%-25%,原因主要有以下幾個(gè)方面:

1、逆變器電壓高,電流、電路損失低,這部分可以節(jié)約電能15%。IGBT中頻電源變壓器的功率是2800V,傳統(tǒng)的可控硅中頻電源變壓器的功率是750V,電流減小了四倍,線路損失降低了。

2、高功率因素,功率因素大于0.98,無(wú)功率損耗小,這部分比可控硅中頻電源節(jié)約電能3%-5%。IGBT采用全橋式整流,整流部分不調(diào)整可控硅傳導(dǎo)角,所以整個(gè)過(guò)程的功率因素大于0.98,無(wú)功率損耗小。

3、爐體熱損耗小,同功率條件下,IGBT比可控硅每批次快15分鐘。在路出口的熱損失占整個(gè)過(guò)程的3%。因此這部分比可控硅中頻電源節(jié)約3%的能量。

高次諧波干擾:當(dāng)可控硅產(chǎn)生電壓峰值的時(shí)候整流器的高次諧波調(diào)整電壓。電壓電網(wǎng)會(huì)被嚴(yán)重污染導(dǎo)致其他設(shè)的設(shè)備不能工作,IGBT中頻電源整流器部分采用全橋整流器。直流電壓總是在最高程度工作,不需要調(diào)整傳導(dǎo)角,因此不會(huì)產(chǎn)生高次諧波,不會(huì)污染電網(wǎng),變壓器,變換器不會(huì)被加熱且不會(huì)干擾其他電子器件的工作。

恒功率輸出:可控硅中頻電源帶有電壓和電流調(diào)節(jié)器,IGBT采用頻率和功率調(diào)節(jié)器,它不會(huì)受爐料和爐襯厚度的影響。在加熱過(guò)程中保持恒功率輸出,尤其是在生產(chǎn)不銹鋼,銅料,鋁料和其他非磁性物質(zhì)的時(shí)候,IGBT電源具有高超的工作效率。爐襯燒損減少,降低了鑄造成本。

以上就是小編今天要分享的所有內(nèi)容啦,大家有任何問(wèn)題可留言給我們哦~

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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