“2021硬核中國芯評選頒獎盛典”在線上舉行。掌握核“芯”技術、堅持自主創(chuàng)新，比亞迪半導體斬獲“2021年度最具影響力IC設計企業(yè)獎”。同時，參評的IGBT 5.0芯片依靠出色的性能、精妙的布局設計等優(yōu)勢奪得“2021年度最佳功率芯片獎”!

2021年度最具影響力IC設計企業(yè)獎

2021年度最佳功率芯片獎

本次評選匯聚百余家國內半導體知名企業(yè)，由40萬工程師、40位專家評委在線評分/投票決出，采取“五大維度+雙審制”的嚴謹評審制度，共同發(fā)掘最具實力的優(yōu)秀中國芯企業(yè)與產品。

比亞迪半導體主要從事功率半導體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導體、制造及服務，產品廣泛應用于汽車、能源、工業(yè)、消費電子等領域。得益于國家對集成電路產業(yè)的大力推動，近幾年國內半導體企業(yè)發(fā)展增速。比亞迪半導體專注產品設計，于細微處見精湛技藝，只為造就一流產品。卓越設計能力、高水準服務及專業(yè)化品質，使其繼連續(xù)多年榮獲2021中國IC設計成就獎之“十大中國IC設計公司”之后，再度榮膺行業(yè)獎項“2021年度最具影響力IC設計企業(yè)獎”。

比亞迪半導體榮獲2021年度最具影響力IC設計企業(yè)獎

綜合特性優(yōu)異 IGBT5.0實力突圍

據(jù)Omdia數(shù)據(jù)統(tǒng)計，功率器件市場規(guī)模在2024年將增長到172億美元，相比2020年將近有18%的增長率，國產功率器件廠商迎來新機遇。

自2002年進入半導體領域以來，比亞迪半導體在2009年便推出國內首款自主研發(fā)的 IGBT 芯片，2018年推出 IGBT4.0 芯片并樹立國內中高端車用IGBT新標桿。

本次參評的IGBT5.0——Trecnch FS IGBT采用了微溝槽結構及復合場中止技術，實現(xiàn)了超低的導通損耗和開關損耗，并且由于經過極致調教的復合場終止技術，實現(xiàn)了軟關斷。該產品性能與國際同類型產品性能相當，Vcesat、Eoff、可靠性等參數(shù)均國內領先。IGBT5.0晶元厚度低于75μm，電流密度超過260A/cm2，VCEsat低于1.4V，關斷損耗低于0.04A/mJ，模塊產品最大輸出功率高達180KW。目前，其已批量應用于內、外部新能源汽車以及國內知名商業(yè)空調、變頻空調領域。

比亞迪半導體榮獲2021年度最佳功率芯片獎

IGBT5.0的優(yōu)異性能來源于其將溝槽柵密度提升了5倍以上，并對元胞進行了精妙的布局設計，結合優(yōu)化的復合場終止結構，使得其綜合特性及能耗接近國際上最先進的微溝槽IGBT。

IGBT5.0芯片

企業(yè)只有掌握核心技術，才能在激烈的市場競爭中脫穎而出。作為國內領先的高效、智能、集成新型半導體企業(yè)，比亞迪半導體擁有完善的產業(yè)布局，以解決客戶痛難點為導向，以技術創(chuàng)新為驅動，提供車規(guī)級半導體整體解決方案，不斷在新產品研發(fā)、應用平臺建設及提高生產能力等方面取得積極成效，并始終與上下游企業(yè)用心締造“中國芯”，助力國內半導體產業(yè)崛起!

●比亞迪半導體新款功率器件驅動芯片自主研發(fā)告成!12月實現(xiàn)批量供貨

●創(chuàng)新引領未來，比亞迪半導體SiC功率模塊斬獲2021年度“全球電子成就獎”

●出貨量領先!比亞迪半導體CMOS圖像傳感器榮獲2021年“中國芯”優(yōu)秀市場表現(xiàn)產品獎

●喜訊!比亞迪半導體參與完成的項目榮獲國家科技進步二等獎

●比亞迪半導體駐順德辦事處正式掛牌成立 順德核“芯”圈成型

原文標題：中國芯實力 比亞迪半導體喜提“硬核中國芯”雙料大獎!

文章出處：【微信公眾號：比亞迪半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

審核編輯:湯梓紅