手機(jī)9 Pro等。大內(nèi)存適合大模型數(shù)據(jù)處理、重度多任務(wù)處理、大型游戲或?qū)I(yè)創(chuàng)作等場景。而存儲(chǔ)方面,此前最高容量為1TB,而前不久蘋果iPhone 17發(fā)布,將存儲(chǔ)容量推向2TB。 ?
發(fā)表于 10-09 04:09
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/EASY-EAI-Nano-TB(RV1126B)\")>04.外設(shè)單例
下面[01_network]有 test-wifi目錄,說明EASY EAI Nano-TB(RV1126B)開發(fā)板
發(fā)表于 11-02 17:18
桌面級(jí)的AI超算體驗(yàn)。目前該產(chǎn)品提供1TB和4TB兩個(gè)版本,其中1TB版本定價(jià)32999元,4TB版本定價(jià) 36999 元。
發(fā)表于 10-22 10:37
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將使速率在 PCIe 7.0 的基礎(chǔ)上翻倍至 256.0 GT/s,通過 x16 配置實(shí)現(xiàn) 1TB/s 的雙向帶寬。 ? 從 PCI-SIG 目前公布的細(xì)節(jié)來看,PCIe 8.0 首先實(shí)現(xiàn)了速度的提升
發(fā)表于 08-08 09:14
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iPhone 13無線充電發(fā)熱爭議不斷,充電發(fā)熱是物理損耗而非安全隱患。系統(tǒng)調(diào)度的溫控管理系統(tǒng)自動(dòng)限制處理器性能、降低屏幕亮度,降低發(fā)熱。第三方無線充電器虛假加速影響電路安全,使用非MFi認(rèn)證充電器引發(fā)異常發(fā)熱概率高。
發(fā)表于 07-12 08:38
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
發(fā)表于 05-23 01:04
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,量產(chǎn)面向車載直流有刷電機(jī)應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)IC[1]——“TB9103FTG”,其典型應(yīng)用包括用于電動(dòng)后門和電動(dòng)滑門的閂鎖電機(jī)[2]和鎖定電機(jī)[3],以及電動(dòng)車窗和電動(dòng)座椅的驅(qū)動(dòng)電機(jī)等
發(fā)表于 03-13 18:06
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RTC初始化的時(shí)候配置hrtc.Init.HourFormat = RTC_HOURFORMAT_24;
為了加快復(fù)現(xiàn),起來之后我設(shè)置時(shí)間為12:59:58,再回讀一下驗(yàn)證時(shí)間設(shè)置的沒問題。
過了1
發(fā)表于 03-13 07:12
基礎(chǔ)電量計(jì)命令:電量計(jì)通過命令與主機(jī)控制器通信,命令類似寄存器,如讀取充電狀態(tài)的命令StateOfCharge(),其命令代碼為0x1C和0x1D 。命令分為標(biāo)準(zhǔn)命令(用于獲取測量結(jié)果和更改部分配置參數(shù))和擴(kuò)展命令(主要用于訪問
發(fā)表于 03-11 15:45
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入HBM)的合約價(jià)格將整體下滑8%至13%,與本季度相比,降幅擴(kuò)大了5個(gè)百分點(diǎn)。 在PC DRAM領(lǐng)域,DDR4內(nèi)存的合約價(jià)格預(yù)計(jì)將下降10%至15%,而DDR5內(nèi)存的降幅則相對較小,為5%至10
發(fā)表于 12-31 14:47
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TB1801線性車燈專用芯片可完美替代LAN1165E1、產(chǎn)品概述TB1801 是一款專為 12V 燈珠設(shè)計(jì)的汽車燈專用的低壓差恒流芯片,輸出電流恒流精度≤±3%,外圍結(jié)構(gòu)簡單,可完美替代
發(fā)表于 12-31 10:00
是為了擴(kuò)大設(shè)備上 AI 的內(nèi)存帶寬。 蘋果于2010年在iPhone 4上首次應(yīng)用LPDDR。PoP可使IC設(shè)計(jì)得更
發(fā)表于 12-09 10:19
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云服務(wù)器費(fèi)用因配置而異,經(jīng)濟(jì)型實(shí)例年費(fèi)用約百元左右,通用算力型和高性能實(shí)例則根據(jù)CPU、帶寬和系統(tǒng)盤提升,費(fèi)用增至數(shù)百至數(shù)千元。硬盤方面,ESSD和SSD云盤1TB年費(fèi)用通常在數(shù)千元,高效云盤則更親
發(fā)表于 12-04 13:27
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檢測DDR內(nèi)存性能是一個(gè)涉及硬件和軟件的綜合過程,可以通過以下幾個(gè)步驟來進(jìn)行: 1. 硬件檢查 1.1 確認(rèn)內(nèi)存規(guī)格 查看內(nèi)存條標(biāo)簽 :檢查內(nèi)存
發(fā)表于 11-20 14:30
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配24GB的LPDDR5X內(nèi)存和1TB的UFS4.0存儲(chǔ)空間,確保游戲運(yùn)行流暢無阻。同時(shí),它還配備了5800mAh雙核電池,支持65W有線快充和15W無線充電,讓玩家在享受游戲的同時(shí),也能擁有持久的續(xù)航體驗(yàn)。 相機(jī)系統(tǒng)方面,ROG游戲手機(jī)9系列后置50MP主攝+
發(fā)表于 11-20 14:07
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