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SiP封裝在5G和IoT時(shí)代面臨的挑戰(zhàn)

荷葉塘 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:程文智 ? 2019-09-17 15:59 ? 次閱讀
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9月10日到11日,由博聞創(chuàng)意會展(深圳)有限公司主辦的“第三屆中國系統(tǒng)級封裝大會”(SiP Conference China 2019)在深圳舉辦。在本次大會上,SiP封裝產(chǎn)業(yè)鏈上的多家公司分享了面向5G、手機(jī)、loT和可穿戴設(shè)備等應(yīng)用的SiP系統(tǒng)解決方案,并圍繞SiP測試、組裝工藝與技術(shù),帶來先進(jìn)的5G材料和基片解決方案,共同探尋SiP業(yè)務(wù)與技術(shù)趨勢。

SiP發(fā)展趨勢

從手機(jī)射頻前端近幾年的變化,可以看出,手機(jī)射頻前端模塊的集成度越來越高。可穿戴設(shè)備的集成度也越來越高。
近年來,SiP產(chǎn)品的市場需求正在迅猛增長,以前,SiP產(chǎn)品主要應(yīng)用在相對較小的PCB設(shè)計(jì)和低功耗產(chǎn)品應(yīng)用中,比如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和汽車電子等。
但現(xiàn)在,隨著5G、AI物聯(lián)網(wǎng)部署的快速推進(jìn),SiP產(chǎn)品需求快速增長。比如現(xiàn)在的智能手機(jī)一般需要8~16個(gè)SiP產(chǎn)品,可穿戴產(chǎn)品未來會將所有功能都封裝進(jìn)一個(gè)SiP產(chǎn)品內(nèi)。會上多位演講嘉賓都提到5G手機(jī)將會需要更多的SiP產(chǎn)品。
智能手機(jī)中用到SiP產(chǎn)品的地方有音頻放大器、電源管理、射頻前端、觸摸屏驅(qū)動(dòng)器,以及WiFi和藍(lán)牙等等。

圖1:SiP產(chǎn)品在智能手機(jī)中的應(yīng)用。
SiP供應(yīng)鏈上的玩家主要分為垂直整合系統(tǒng)公司,比如蘋果;定制化系統(tǒng)公司,比如vivo;小芯片方案供應(yīng)商,比如高通;以及OSAT/EMS,比如Amkor、JCET、富士康等。
但系統(tǒng)集成度方式其實(shí)有三種:SoC、SiP和SoB。這三種方式也各有其優(yōu)缺點(diǎn)。

圖2:系統(tǒng)集成的三種方式優(yōu)缺點(diǎn)對比。
SoC(System on Chip,系統(tǒng)級芯片)是將多種功能集成在同一芯片上。其優(yōu)點(diǎn)顯而易見,它具有最高的集成度,更好的性能、更低的功耗和傳輸成本;缺點(diǎn)是有很高的技術(shù)門檻,開發(fā)周期(TTM)會比較長,一般需要50~60周,還有就是不夠靈活和受摩爾定律的影響。
SiP是將多種功能芯片,包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi),從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能。其主流封裝形式是BGA。的優(yōu)勢是可以異構(gòu)集成,開發(fā)周期24~29周。
SoB(System on Board)則是基于基板方式的封裝。開發(fā)周期一般是12到15周。生命周期24~29周。
一般來說,對生命周期相對較長的產(chǎn)品來說,SoC將作為需要產(chǎn)品的核心;如果對產(chǎn)品開發(fā)周期要求高、生命周期短、面積小、靈活性高的產(chǎn)品,則更傾向于使用SiP或者SoB。
比如vivo封裝技術(shù)專家楊俊在系統(tǒng)級封裝大會上就表示,目前vivo使用得更多的是SoB和SiP封裝形式。

SiP面臨的EDA挑戰(zhàn)

5G射頻前端對SiP的需求特別大,但隨著封裝越來越緊湊,未來還可能需要將毫米波波段集成進(jìn)去,因此SiP產(chǎn)品的電磁(EM)仿真變得越來越重要。也就是說SiP產(chǎn)品需要進(jìn)行精確的3D EM仿真。
芯禾科技工程副總裁代文亮博士表示,目前沒有單一的電磁場求解技術(shù)可以解決今天所有的挑戰(zhàn)。商業(yè)電磁場仿真工具也一直在創(chuàng)新中,目前可以提供電磁場仿真工具的企業(yè)有芯禾科技、NI、Mentor,以及Cadence等廠商。

圖3:商業(yè)電磁場仿真工具市場一覽。
芯禾科技可以提供的工具有IRIS、iModeler和Metis
其中IRIS工具已經(jīng)可以支持主流的代工廠工藝,包括TSMC、UMC、SMIC、Globalfoundries,以及三星等。而且已通過了多個(gè)代工廠的工藝節(jié)點(diǎn)認(rèn)證

圖4:芯禾科技電磁仿真工具應(yīng)用案例。
Mentor也將其在芯片仿真領(lǐng)域的優(yōu)勢帶入了SiP領(lǐng)域中來了,Mentor, a Siemens Business亞太區(qū)先進(jìn)封裝技術(shù)經(jīng)理紀(jì)柏霖在演講中表示,以前只做芯片封裝時(shí),根本不需要考慮布局布線的問題,封裝也不需要另外再做仿真,但SiP產(chǎn)品不一樣,因?yàn)椴挥玫男酒羌稍谝粋€(gè)基板上的,必須要考慮布局布線和仿真問題,還需要做SI/PI/EMI分析、熱應(yīng)力分析、LVS/DRC、可靠性分析(ESD),以及可制造性分析等等。
他重點(diǎn)介紹了Xpedition和Calibre 3DSTACK在SiP中的應(yīng)用。

SiP面臨的封裝和測試挑戰(zhàn)

SiP產(chǎn)品中,如果集成多個(gè)射頻芯片的話,其EMI問題可能會變得更加難以處理。矽品精密研發(fā)中心處長蔡瀛州介紹了矽品精密的處理方法,可以在封裝前加一層EMI屏蔽罩。

圖5:矽品精密研發(fā)中心處長蔡瀛州在介紹矽品精密的EMI屏蔽罩解決方案。
他同時(shí)介紹了不用應(yīng)用場景所使用的SiP形式和發(fā)展趨勢,比如云端AI和網(wǎng)絡(luò)SiP產(chǎn)品常使用FCBGA、2.5D、3D和FO-MCM封裝形式;邊緣AI和設(shè)備常使用PoP和FC-ETS封裝形式。

圖6:AI新品的封裝技術(shù)。
高性能計(jì)算封裝趨勢正在從開始的FCBGA和2.5D封裝形式向3D封裝轉(zhuǎn)換。

圖7:3D SiP技術(shù)的發(fā)展趨勢。
而SiP的測試挑戰(zhàn)是顯而易見的,因?yàn)橄到y(tǒng)復(fù)雜度和封裝集成度都增加了,而產(chǎn)品上市時(shí)間卻縮短了。那如何緩解SiP最后一步的測試壓力呢?NI給出的解決方案是增加中間段測試。
SiP與SoC測試流程中都包含晶圓代工(Foundry)與委外封測代工(OSAT),主要區(qū)別體現(xiàn)在OSAT段。在SiP測試的OSAT段測試中,基板(Substrate)、裸片(die)、封裝等的測試會有不同的供應(yīng)商來做,為了整個(gè)流程的質(zhì)量控制,還會有不同的中間段測試。

圖8:傳統(tǒng)的SoC測試流程 vs SiP測試流程
通常來講,SiP測試的方法主要有4種:
傳統(tǒng)的ATE測試,難以擴(kuò)展定制;
In House Design Solution即定制化測試;
將系統(tǒng)級測試軟件與傳統(tǒng)測試儀器相結(jié)合;
Open Architecture Platform即開放式架構(gòu)平臺,它既有ATE的功能,同時(shí)它又可以很容易地集成到原來的中間段測試?yán)锩妗?/div>
最后一種開放式架構(gòu)平臺是NI亞太區(qū)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理何為最為推薦的解決方案。

SiP面臨的清洗設(shè)備挑戰(zhàn)

對芯片助焊劑臟污清洗不徹底會引起很多問題,比如有機(jī)殘留物引起的結(jié)晶樹枝狀生長會引起短路,造成器件電氣性能失效;助焊劑殘留會阻止環(huán)氧樹脂填充,造成底部填充/塑封在芯片和基座之間產(chǎn)生空洞和分層,進(jìn)而引起電學(xué)失效以及后期溫度沖擊開裂;此外,F(xiàn)lux具有腐蝕性后期影響。
芯片清洗過程有四個(gè)基本要素,即溫度、機(jī)械作用、化學(xué)作用和時(shí)間,這四個(gè)要素缺一不可,他們相互影響且互為補(bǔ)充。

圖9:超越摩爾定律的多樣性發(fā)展途徑。
清洗過程中,對噴嘴的設(shè)計(jì),流量和壓力都有特定的要求。有時(shí)候單純增加壓力,并不一定能夠清洗干凈,比如下圖中,清洗液壓力越大,濺射也越大,真正清洗的液體量可能不夠,從而無法清洗干凈。而如果增大流量,降低壓力,清洗效果可能會更好。

圖10:清洗設(shè)備的噴嘴設(shè)計(jì)。

結(jié)語

隨著SiP產(chǎn)品越來越多,參與的企業(yè)越來越多,其產(chǎn)業(yè)鏈也開始變得更加完整?,F(xiàn)在從晶圓制造、材料供應(yīng)商、設(shè)備廠商、EDA工具廠商,在到測試測量廠商,以及封裝廠商都開始參與到了SiP產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中了。在摩爾定律放緩后,SiP的應(yīng)用將會推動(dòng)摩爾定律繼續(xù)向前發(fā)展。
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