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兼顧便攜式發(fā)電機(jī)項(xiàng)目能效與成本的方案設(shè)計(jì)分析

cROa_英飛凌 ? 來(lái)源:djl ? 2019-09-24 16:29 ? 次閱讀
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到2040年,世界對(duì)電力的需求將有超過(guò)70%的增長(zhǎng)。盡管對(duì)電力和能源的需求日益增長(zhǎng),但獲取能源的普遍途徑卻還未實(shí)現(xiàn)。便攜式發(fā)電機(jī)可以填補(bǔ)獲取能源的一些空白,如耗電景觀、備份電源或住宅應(yīng)急電源、電網(wǎng)無(wú)法接入的商業(yè)或工業(yè)應(yīng)用(例如野營(yíng)、劃船等休閑活動(dòng),或者其它使用戶遠(yuǎn)離供電插座的情況)。

便攜式發(fā)電機(jī)一般由交流發(fā)電機(jī)、逆變器、控制面板、燃料系統(tǒng)和蓄電池充電器組成,也可以有一個(gè)連接至引擎的消音器,以減少其運(yùn)轉(zhuǎn)噪音。

兼顧便攜式發(fā)電機(jī)項(xiàng)目能效與成本的方案設(shè)計(jì)分析

便攜式發(fā)電機(jī)方案拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

英飛凌為您提供便攜式發(fā)電機(jī)設(shè)計(jì)的一站式服務(wù),推出多種高品質(zhì)半導(dǎo)體產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)符合節(jié)能規(guī)定的更小、更輕巧的便攜式發(fā)電機(jī)解決方案,無(wú)時(shí)無(wú)刻不在思索如何幫助客戶將便攜式發(fā)電機(jī)項(xiàng)目提升至新水準(zhǔn)。下面請(qǐng)?jiān)试S我們?yōu)槟扑]一套兼顧能效與成本的“爆款”方案:

引擎管理單元

兼顧便攜式發(fā)電機(jī)項(xiàng)目能效與成本的方案設(shè)計(jì)分析

XMC1000是英飛凌基于ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位單片機(jī)家族, 采用65nm嵌入式閃存技術(shù)并配合了64MHz MATH協(xié)處理器技術(shù)來(lái)促使卓越運(yùn)算能力。

TLE8080EM是基于英飛凌智能功率技術(shù)(SPT)的引擎管理芯片,它為1缸引擎管理系統(tǒng)提供了一個(gè)緊湊而成本優(yōu)化了的解決方案,該方案集成了電源、K線、SPI控制與診斷、可變磁阻傳感器接口、包含嵌入式保護(hù)功能與單電源接口集成電路的功率級(jí)。

逆變器單元

兼顧便攜式發(fā)電機(jī)項(xiàng)目能效與成本的方案設(shè)計(jì)分析

逆變器單元是便攜式發(fā)電機(jī)的重要組成部分。逆變器單元的微控制器固然可以使用XMC1000家族的單片機(jī)。同時(shí),英飛凌基于ARM Cortex-M4內(nèi)核的32位單片機(jī)家族之XMC4000現(xiàn)已上線可作別的優(yōu)良選擇。

英飛凌能提供各種電壓及RDS(on)等級(jí)的高壓MOSFET,憑借標(biāo)桿式的超級(jí)結(jié)金氧半場(chǎng)效晶體管(SJ MOSFET) 在THD技術(shù)以及大功率密度SMD的封裝,逆變器單元得以小型化從而使發(fā)電機(jī)變得更加便攜。

在逆變器單元,從兼顧效能與成本的角度出發(fā),除了微控制器,英飛凌還推薦使用以下器件:600V & 650V CoolMOS C7系列、600V CoolMOS P7系列、650V CoolMOS CFD2、第五代CoolSiC 650V二極管、在性能上互為補(bǔ)充OptiMOS與StrongIRFET。另外英飛凌還提供可與MOSFET互補(bǔ)的多種配置、電壓等級(jí)、隔離級(jí)別、保護(hù)功能及封裝的柵極驅(qū)動(dòng)IC——EiceDRIVER。

控制單元

兼顧便攜式發(fā)電機(jī)項(xiàng)目能效與成本的方案設(shè)計(jì)分析

在控制單元,依然推薦您采用性價(jià)比超高的XMC1000系列產(chǎn)品。囊括XMC1100、XMC1200、XMC1300、XMC1400四個(gè)系列的XMC1000家族實(shí)力演繹廣闊產(chǎn)品線+高性能優(yōu)勢(shì),小編帶你一圖看盡~

兼顧便攜式發(fā)電機(jī)項(xiàng)目能效與成本的方案設(shè)計(jì)分析

電源管理單元

兼顧便攜式發(fā)電機(jī)項(xiàng)目能效與成本的方案設(shè)計(jì)分析

在便攜式發(fā)電機(jī)的電池管理單元中,英飛凌為您推薦以下產(chǎn)品:OptiMOS功率MOSFET擁有超一流的性能,其特點(diǎn)包括超低RDS(on),以及高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用的低電荷。StrongIRFET功率MOSFET專為惡劣條件下的工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì),是那些較低開(kāi)關(guān)頻率以及需要高電流承載能力應(yīng)用的理想選擇。另外柵極驅(qū)動(dòng)IC的EiceDRIVER系列產(chǎn)品可與OptiMOS或StrongIRFET形成互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)。

英飛凌便攜式發(fā)電機(jī)方案優(yōu)勢(shì)

高功率密度的半導(dǎo)體讓逆變器單元的小型化成為可能,進(jìn)而能制造出更小、更輕便的便攜式發(fā)電機(jī)。

領(lǐng)先的半導(dǎo)體工藝滿足能效與碳排放要求。

高效且創(chuàng)新的性價(jià)比方案,使整體BOM成本降低。

針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的可靠產(chǎn)品。

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